H5TQ2G43CFR 时间：2025/9/1 18:16:09 阅读：8

H5TQ2G43CFR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储解决方案的一部分，广泛应用于高性能计算、图形处理、网络设备和嵌入式系统等领域。这款DRAM芯片采用的是GDDR5技术，专为满足高数据速率和低延迟的需求而设计，适用于需要大量数据处理能力的现代电子设备。

参数

类型：GDDR5 SDRAM
　　容量：2 Gbit
　　数据速率：4.3 Gbps
　　电压：1.5V（VDD）/ 1.2V（VDDQ）
　　封装：170-ball FBGA
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　I/O接口：x32
　　工作频率：最大可达2125 MHz
　　预取架构：8n预取

特性

H5TQ2G43CFR 是一款高性能的GDDR5 SDRAM芯片，其核心特性包括高速数据传输能力、低功耗设计、以及适用于复杂系统环境的稳定性。该芯片支持高达4.3 Gbps的数据传输速率，能够满足现代图形处理单元（GPU）和高性能计算平台对内存带宽的严格要求。其双电压设计（1.5V用于核心，1.2V用于I/O）有助于降低功耗并提高能效，同时支持更广泛的温度范围，使其适用于工业级应用环境。
　　该芯片采用170-ball FBGA封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计的电子设备。其8n预取架构和高速时钟频率使得数据访问更加高效，从而提升了整体系统性能。此外，H5TQ2G43CFR 还支持自动刷新、自刷新、以及深度掉电模式等节能功能，能够在不牺牲性能的前提下最大限度地减少能耗。
　　在功能上，H5TQ2G43CFR 提供了包括写入均衡、动态ODT（终端电阻控制）、ZQ校准等高级功能，以确保信号完整性和系统稳定性。这些特性使得该芯片在复杂的多任务处理环境中能够保持高效和可靠的运行。

应用

H5TQ2G43CFR 主要应用于需要高带宽内存的高性能计算设备，如高端图形显卡、游戏主机、工作站、网络交换设备、以及工业控制和嵌入式系统。其高速数据传输能力和低延迟特性使其成为图形处理、人工智能计算、视频渲染和实时数据处理等场景的理想选择。此外，该芯片也适用于对稳定性有较高要求的工业自动化和通信基础设施。