时间：2025/9/2 22:15:54
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H5TQ2G43AFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动型LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）系列。这款存储芯片主要面向高性能移动设备、嵌入式系统以及便携式电子产品设计，具有高速数据传输、低功耗和高集成度等特点。
类型：DRAM
规格：2GB（x4）
封装：130-ball BGA
工作电压：1.1V（核心），1.8V（I/O）
接口：LPDDR4
频率：1600MHz
带宽：12.8GB/s
温度范围：-40°C ~ +85°C
H5TQ2G43AFR-H9C 是一款高性能、低功耗的移动DRAM芯片，采用了LPDDR4接口，具备更高的数据传输速率和更低的功耗。该芯片支持1600MHz的工作频率，提供高达12.8GB/s的带宽，能够满足高端智能手机、平板电脑和嵌入式系统的高性能需求。同时，其工作电压仅为1.1V（核心）和1.8V（I/O），有效降低了功耗，延长了设备的电池寿命。此外，H5TQ2G43AFR-H9C 采用了130-ball BGA封装形式，具有良好的散热性能和稳定性，适用于各种紧凑型电子设备。该芯片还支持温度感应和自刷新功能，能够在不同温度条件下保持稳定运行，同时具备良好的抗干扰能力。
另外，这款DRAM芯片在设计上优化了电源管理，支持深度电源关闭（DPD）模式，从而在设备处于待机状态时进一步减少能耗。其内部结构采用了高密度存储单元阵列，使得在有限的空间内实现大容量存储成为可能。H5TQ2G43AFR-H9C 还具备出色的可靠性和兼容性，适用于多种移动平台和嵌入式系统，如Android设备、平板电脑、车载信息系统等。
H5TQ2G43AFR-H9C 通常用于需要高性能内存的移动设备，如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机、车载娱乐系统、工业控制设备和嵌入式系统。由于其低功耗和高带宽特性，该芯片也适用于对电池寿命和处理速度有较高要求的智能设备。
H5TQ2G63AFR-H92C, H5TQ2G43AMR-H92C, H5TQ1G63AFR-H92C
