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H5TQ2G43AFR-H9C 发布时间 时间:2025/9/2 22:15:54 查看 阅读:6

H5TQ2G43AFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)系列。这款存储芯片主要面向高性能移动设备、嵌入式系统以及便携式电子产品设计,具有高速数据传输、低功耗和高集成度等特点。

参数

类型:DRAM
  规格:2GB(x4)
  封装:130-ball BGA
  工作电压:1.1V(核心),1.8V(I/O)
  接口:LPDDR4
  频率:1600MHz
  带宽:12.8GB/s
  温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H5TQ2G43AFR-H9C 是一款高性能、低功耗的移动DRAM芯片,采用了LPDDR4接口,具备更高的数据传输速率和更低的功耗。该芯片支持1600MHz的工作频率,提供高达12.8GB/s的带宽,能够满足高端智能手机、平板电脑和嵌入式系统的高性能需求。同时,其工作电压仅为1.1V(核心)和1.8V(I/O),有效降低了功耗,延长了设备的电池寿命。此外,H5TQ2G43AFR-H9C 采用了130-ball BGA封装形式,具有良好的散热性能和稳定性,适用于各种紧凑型电子设备。该芯片还支持温度感应和自刷新功能,能够在不同温度条件下保持稳定运行,同时具备良好的抗干扰能力。
  另外,这款DRAM芯片在设计上优化了电源管理,支持深度电源关闭(DPD)模式,从而在设备处于待机状态时进一步减少能耗。其内部结构采用了高密度存储单元阵列,使得在有限的空间内实现大容量存储成为可能。H5TQ2G43AFR-H9C 还具备出色的可靠性和兼容性,适用于多种移动平台和嵌入式系统,如Android设备、平板电脑、车载信息系统等。

应用

H5TQ2G43AFR-H9C 通常用于需要高性能内存的移动设备,如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机、车载娱乐系统、工业控制设备和嵌入式系统。由于其低功耗和高带宽特性,该芯片也适用于对电池寿命和处理速度有较高要求的智能设备。

替代型号

H5TQ2G63AFR-H92C, H5TQ2G43AMR-H92C, H5TQ1G63AFR-H92C

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