H5TQ1G83DFR 时间：2025/9/1 21:27:25 阅读：27

H5TQ1G83DFR是现代半导体（Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM（mDRAM）类别，主要应用于移动设备和嵌入式系统。该芯片支持低功耗模式，适用于需要高性能和低功耗的设备，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。

参数

类型：DRAM
　　容量：1Gb
　　组织结构：128M x8
　　工作电压：1.7V - 3.3V
　　数据速率：166MHz
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54-pin
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）

特性

H5TQ1G83DFR是一款高性能的DRAM芯片，具有出色的存储能力和稳定性。其低功耗设计使得它非常适合用于电池供电的设备，可以有效延长设备的续航时间。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性，减少功耗。此外，它还具备快速的读写速度，能够在高频率下运行，确保系统的高效运行。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于紧凑型电子设备的设计。
　　H5TQ1G83DFR的1.7V至3.3V宽电压范围使其能够在多种电源环境下稳定工作，增强了其适用性。该芯片的166MHz数据速率确保了数据传输的高效性，适合需要快速处理大量数据的应用场景。其54引脚的封装设计也方便了PCB布局和焊接，提高了生产的便利性。此外，工业级温度范围（-40°C至+85°C）使得该芯片可以在各种严苛的环境条件下稳定运行。

应用

H5TQ1G83DFR广泛应用于多种嵌入式系统和移动设备，如智能手机、平板电脑、数码相机、多媒体播放器以及其他便携式电子产品。它也常用于工业控制系统、网络设备、通信设备和消费类电子产品中，提供可靠的数据存储和处理能力。由于其低功耗和高性能的特性，该芯片特别适合需要长时间运行且对电池寿命要求较高的设备。