您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H5TQ1G83DFR

H5TQ1G83DFR 发布时间 时间:2025/9/1 21:27:25 查看 阅读:16

H5TQ1G83DFR是现代半导体(Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动DRAM(mDRAM)类别,主要应用于移动设备和嵌入式系统。该芯片支持低功耗模式,适用于需要高性能和低功耗的设备,如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。

参数

类型:DRAM
  容量:1Gb
  组织结构:128M x8
  工作电压:1.7V - 3.3V
  数据速率:166MHz
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54-pin
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

H5TQ1G83DFR是一款高性能的DRAM芯片,具有出色的存储能力和稳定性。其低功耗设计使得它非常适合用于电池供电的设备,可以有效延长设备的续航时间。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性,减少功耗。此外,它还具备快速的读写速度,能够在高频率下运行,确保系统的高效运行。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适用于紧凑型电子设备的设计。
  H5TQ1G83DFR的1.7V至3.3V宽电压范围使其能够在多种电源环境下稳定工作,增强了其适用性。该芯片的166MHz数据速率确保了数据传输的高效性,适合需要快速处理大量数据的应用场景。其54引脚的封装设计也方便了PCB布局和焊接,提高了生产的便利性。此外,工业级温度范围(-40°C至+85°C)使得该芯片可以在各种严苛的环境条件下稳定运行。

应用

H5TQ1G83DFR广泛应用于多种嵌入式系统和移动设备,如智能手机、平板电脑、数码相机、多媒体播放器以及其他便携式电子产品。它也常用于工业控制系统、网络设备、通信设备和消费类电子产品中,提供可靠的数据存储和处理能力。由于其低功耗和高性能的特性,该芯片特别适合需要长时间运行且对电池寿命要求较高的设备。

替代型号

H5TQ2G83EFR、H5TQ1G83CFR、H5TQ1G83BFR

H5TQ1G83DFR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价