容量：1Gbit
　　组织方式：x8/x16
　　电压：1.8V
　　封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　接口：DRAM
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　数据速率：166MHz
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：54-Pin TSOP
　　时钟频率：166MHz

H5TQ1G83DFR-12C 具备多项先进的功能和特性，使其在高性能系统中表现优异。首先，其1.8V低电压设计有助于降低功耗，提高设备的能效，这对于电池供电设备尤为重要。该DRAM芯片提供x8和x16两种数据宽度选项，允许设计人员根据系统需求灵活配置内存带宽。
　　     该器件支持自动刷新和自刷新两种模式，能够在不牺牲数据完整性的前提下最大限度地降低待机电流。自刷新模式特别适用于需要长时间保持数据但无法持续提供时钟信号的场景。
　　     H5TQ1G83DFR-12C 提供高速数据访问能力，其访问时间仅为5.4ns，最大时钟频率为166MHz，适用于需要快速数据处理的系统。此外，该芯片采用54引脚TSOP封装，具有良好的热稳定性和空间效率，适合在紧凑型设计中使用。
　　     该DRAM的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种严苛环境下的稳定运行。其设计也支持异步和同步操作模式，提高了系统兼容性和灵活性。

H5TQ1G83DFR-12C 常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、消费类电子产品（如便携式媒体播放器、智能手持设备）以及需要中等容量高速存储的各类应用。由于其低功耗特性和宽温范围，它也适合用于汽车电子、安防监控设备和物联网（IoT）终端设备中。

H5TQ1G83DFR-12C可以替代的型号包括H5TQ1G83FFR-12C、H5TQ1G83EFR-12C和H5TQ1G83DFR-12C的相关系列型号。