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H5TQ1G83BFR-H9C-C 发布时间 时间:2025/9/2 10:28:49 查看 阅读:11

H5TQ1G83BFR-H9C-C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动LPDDR3系列。该芯片设计用于低功耗应用,主要面向移动设备、平板电脑、嵌入式系统等便携式电子产品。其存储容量为1Gb(Gigabit),采用BGA封装形式,具有较高的数据传输速率和能效比。

参数

容量:1Gb
  类型:LPDDR3 SDRAM
  封装:BGA
  工作电压:1.2V / 1.8V
  接口:x32
  时钟频率:最高支持800MHz
  数据速率:1600Mbps
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:9mm x 13mm

特性

H5TQ1G83BFR-H9C-C 具有多种显著的性能特点,适用于高性能和低功耗需求的应用场景。其主要特性包括:
  ? 低功耗设计:该芯片支持LPDDR3标准,工作电压为1.2V(核心电压)和1.8V(I/O电压),相比传统DDR3内存显著降低了功耗,非常适合移动设备和嵌入式系统使用。
  ? 高速数据传输:H5TQ1G83BFR-H9C-C 最高支持1600Mbps的数据速率,能够在高负载应用中提供快速的数据访问能力,提升系统整体性能。
  ? 小型化封装:采用9mm x 13mm的BGA封装技术,使其在空间受限的设备中易于集成,同时保证良好的电气性能和热管理能力。
  ? 工业级温度适应性:该芯片可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,适用于工业级应用场景,如工业控制、车载系统等。
  ? 高集成度:单颗芯片容量为1Gb,减少了PCB板上内存模块的数量,有助于简化电路设计并提高系统稳定性。
  ? 支持自动刷新和自刷新模式:该芯片支持多种节能模式,包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh),可在不使用时自动降低功耗,延长设备电池续航时间。

应用

H5TQ1G83BFR-H9C-C 主要应用于需要高性能、低功耗和紧凑封装的电子设备中。常见应用包括:
  ? 移动电话和平板电脑:作为主内存或图形内存,提升设备运行速度和图形处理能力。
  ? 嵌入式系统:用于工业控制、智能终端、POS机等设备,提供稳定可靠的内存支持。
  ? 汽车电子:适用于车载导航系统、车载娱乐系统等,满足汽车电子对温度和可靠性的严格要求。
  ? 网络通信设备:如路由器、交换机等,用于缓存和临时数据存储,提高数据处理效率。
  ? 数码相机和便携式多媒体设备:用于图像缓存和视频处理,提升设备响应速度。

替代型号

H5TQ1G83CFR-H9C-C, H5TQ1G83EFR-H9C-C, MT48LC16M16A2B4-6A, K4E6E324CE-FGC1

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