时间：2025/9/2 6:02:00
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H5TQ1G83BFR-G7C-C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度存储解决方案的一部分。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，提供高性能和低功耗特性，适用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景。
容量：1Gb
组织结构：x8/x16
工作电压：1.8V
数据速率：166MHz
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
H5TQ1G83BFR-G7C-C 是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片，专为现代电子设备的内存需求而设计。其主要特性之一是低电压操作，工作电压为1.8V，这有助于降低功耗并提高系统的能效。这种低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备或需要节能的系统。此外，该芯片支持166MHz的数据速率，能够满足高速数据处理的需求，为系统提供流畅的数据访问体验。
H5TQ1G83BFR-G7C-C 采用了TSOP（薄型小外形封装）技术，这种封装方式不仅节省空间，还提高了芯片的稳定性和可靠性。TSOP封装有助于减少引脚间的干扰，提高信号完整性，从而确保数据传输的稳定性。该芯片还支持x8和x16两种数据宽度模式，为不同的系统设计提供了灵活性。
这款DRAM芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），能够在严苛的环境条件下稳定运行。这一特性使其适用于工业控制、嵌入式系统、网络设备等对可靠性和稳定性要求较高的应用领域。
H5TQ1G83BFR-G7C-C 主要应用于需要高性能内存的电子设备，如嵌入式系统、工业计算机、网络通信设备、消费类电子产品（如智能电视、高端路由器）等。由于其低功耗和高速特性，该芯片也适合用于对能效要求较高的便携式设备。
H5TQ1G83BFR-H9C-C, H5TQ1G83MFR-G7C-C
