H5TQ1G83BFR-G7C-C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高密度存储解决方案的一部分。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,提供高性能和低功耗特性,适用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景。
容量:1Gb
组织结构:x8/x16
工作电压:1.8V
数据速率:166MHz
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
H5TQ1G83BFR-G7C-C 是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片,专为现代电子设备的内存需求而设计。其主要特性之一是低电压操作,工作电压为1.8V,这有助于降低功耗并提高系统的能效。这种低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备或需要节能的系统。此外,该芯片支持166MHz的数据速率,能够满足高速数据处理的需求,为系统提供流畅的数据访问体验。
H5TQ1G83BFR-G7C-C 采用了TSOP(薄型小外形封装)技术,这种封装方式不仅节省空间,还提高了芯片的稳定性和可靠性。TSOP封装有助于减少引脚间的干扰,提高信号完整性,从而确保数据传输的稳定性。该芯片还支持x8和x16两种数据宽度模式,为不同的系统设计提供了灵活性。
这款DRAM芯片的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),能够在严苛的环境条件下稳定运行。这一特性使其适用于工业控制、嵌入式系统、网络设备等对可靠性和稳定性要求较高的应用领域。
H5TQ1G83BFR-G7C-C 主要应用于需要高性能内存的电子设备,如嵌入式系统、工业计算机、网络通信设备、消费类电子产品(如智能电视、高端路由器)等。由于其低功耗和高速特性,该芯片也适合用于对能效要求较高的便携式设备。
H5TQ1G83BFR-H9C-C, H5TQ1G83MFR-G7C-C