您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H5TQ1G83AFP-G7C

H5TQ1G83AFP-G7C 发布时间 时间:2025/9/2 2:22:00 查看 阅读:7

H5TQ1G83AFP-G7C 是由SK Hynix(海力士)制造的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的内存解决方案,广泛应用于需要高速数据处理的电子设备中。该芯片的具体规格表明它是一款容量为1Gbit(128MB)、组织形式为x8或x16的DRAM,适用于图形处理、网络设备、嵌入式系统等场景。

参数

容量:1Gbit
  组织形式:x8/x16
  接口类型:DRAM
  电压:2.3V - 3.6V
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)或商业级(0°C至70°C)
  时钟频率:高达166MHz
  封装引脚数:54pin

特性

H5TQ1G83AFP-G7C 是一款具备高速访问能力的DRAM芯片,支持异步操作,具有低功耗模式,适用于对功耗有一定要求的应用。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,确保了数据的快速读写和稳定的性能表现。其TSOP封装形式有助于减小PCB(印刷电路板)的空间占用,适用于紧凑型设计。
  此外,该DRAM芯片支持多种工作模式,包括读取、写入、刷新等操作,具备自动刷新功能,可确保数据的完整性。其工业级温度范围支持在较为恶劣的环境下稳定工作,适合工业控制、通信设备等应用场合。
  在时钟频率方面,该芯片最高可达166MHz,提供较高的数据传输速率,适用于需要实时处理的应用场景,例如视频处理、图像识别和高性能嵌入式计算平台。

应用

H5TQ1G83AFP-G7C 常用于需要高速缓存和临时数据存储的系统中,例如:
  ? 工业控制设备与自动化系统
  ? 网络路由器与交换机
  ? 数字电视、机顶盒和多媒体播放器
  ? 嵌入式处理器系统
  ? 图形加速器和显示控制器
  ? 便携式电子设备和智能终端
  由于其高性能与低功耗特性,该芯片也适合在需要持续运行和高可靠性的工业与通信设备中使用。

替代型号

H5TQ1G83AFR-G7C, H5DU1G83AFP-G7C, H5DU1G83AFR-G7C, HY5DU128208A25C4

H5TQ1G83AFP-G7C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价