时间：2025/4/30 17:39:45
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AUIRFB8405 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，可显著降低功率损耗，并提供优异的开关性能。其封装形式为 LFPAK56E，适合表面贴装技术（SMT），并具备良好的热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：120A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
栅极电荷：95nC
总电容：1350pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
AUIRFB8405 提供了极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
该器件具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
其高电流承载能力使其非常适合用于需要大电流输出的应用场景。
封装设计优化了散热性能，支持高效的功率转换。
此外，该 MOSFET 具有快速开关速度，有助于降低开关损耗并提升整体性能。
AUIRFB8405 广泛应用于汽车电子领域，包括但不限于以下方面：
直流无刷电机驱动控制
车载充电系统中的功率转换
DC-DC 转换器和逆变器
高压负载切换电路
LED 驱动器
其他高电流功率管理应用
IRFB8405
Infineon BSC012N06NS
AON6816
