H5TQ1G63EFR-RDC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其移动DRAM产品线,广泛应用于移动设备如智能手机和平板电脑。该型号的存储容量为1Gb(128MB),采用LPDDR2接口标准,支持低功耗操作,适用于对功耗和性能都有较高要求的便携式电子设备。
容量:1Gb(128MB)
接口类型:LPDDR2
封装类型:FBGA
工作电压:1.2V ~ 1.8V(核心电压和I/O电压可能不同)
数据速率:400MHz ~ 1066MHz(具体取决于配置)
数据宽度:x16位
工作温度范围:-40°C ~ +85°C或0°C ~ +70°C(根据等级不同)
封装尺寸:66-ball FBGA(具体尺寸约为6mm x 8mm)
封装工艺:无铅封装
H5TQ1G63EFR-RDC 具有低功耗、高性能的特点,适用于移动设备。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备高集成度和可靠性。其LPDDR2接口支持突发传输和低功耗模式,有助于降低系统功耗并提高数据传输效率。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电情况下的保持。其封装设计也便于在空间受限的设备中使用,同时具备良好的散热性能。
在电气特性方面,该芯片具有较宽的工作电压范围,适应不同电源管理需求。其I/O电压支持1.2V和1.8V两种模式,兼容多种主板设计。时钟频率可调,支持多种频率配置,以满足不同性能需求。在操作方面,H5TQ1G63EFR-RDC 支持快速切换模式,可在高性能模式和低功耗模式之间切换,适应不同的应用场景。此外,它还具备错误检测和纠正能力,提高数据存储的可靠性。
H5TQ1G63EFR-RDC 广泛应用于移动设备领域,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外,它也可用于嵌入式系统、工业控制设备、便携式医疗设备等需要高性能和低功耗存储的场合。在消费电子市场中,该芯片常被用作移动设备的主内存,支持多任务处理和快速响应。在工业应用中,它可以为嵌入式系统提供稳定的内存支持,适用于需要长时间运行的设备。同时,该芯片也适用于网络设备、通信模块等需要高速缓存的场景。
H5TQ1G63AFR-H9C, H5TQ1G63AMR-PBC, H5TQ1G63FFR-K8C