时间：2025/9/2 9:03:58
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H5TQ1G63DFR是现代（Hyundai）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于需要高性能存储解决方案的电子设备中。这款芯片具有128MB的存储容量，采用FBGA封装技术，支持低功耗运行，适用于移动设备、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的应用场景。
存储容量：128MB
数据宽度：16位
封装类型：FBGA
工作电压：1.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
最大访问时间：5.4ns
时钟频率：166MHz
H5TQ1G63DFR芯片具有多项优异特性。首先，其低电压设计支持1.7V至3.6V的宽电压范围，使其适用于多种电源环境，同时降低了功耗，提高了能效。其次，该芯片支持工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），确保在极端环境条件下仍能稳定运行。
此外，H5TQ1G63DFR采用高速166MHz时钟频率设计，提供快速的数据存取能力，访问时间低至5.4ns，适合需要高吞吐量和低延迟的应用场景。FBGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了散热性能和电气性能，适用于空间受限的高密度PCB设计。
H5TQ1G63DFR芯片广泛应用于多种电子设备和系统，特别是在需要高性能、低功耗和高可靠性的应用场景中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动电子产品，这些设备通常对功耗和体积有严格要求，而H5TQ1G63DFR的低电压和FBGA封装优势正好满足这些需求。
H5TQ2G63FFR, MT48LC16M16A2B4-6A, K4T1G164QF
