H5TQ1G63BFRH9C 时间：2025/9/2 4:46:54 阅读：7

H5TQ1G63BFRH9C是现代（Hyundai）公司（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，是一种高密度、高性能的动态存储器，广泛用于需要快速数据访问的设备中。该DRAM芯片支持SDRAM接口，适用于需要较高内存带宽的应用场景。由于其稳定的性能和可靠性，H5TQ1G63BFRH9C被广泛应用于工业控制、嵌入式系统、消费电子设备等领域。

参数

容量：128MB
　　类型：DRAM
　　封装：FBGA
　　数据宽度：16位
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　时钟频率：166MHz
　　接口：SDRAM兼容
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

H5TQ1G63BFRH9C是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片，其主要特性包括高速数据访问、低延迟以及宽工作温度范围，使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。该芯片的166MHz时钟频率提供了较高的数据传输速率，适合需要实时数据处理的应用。此外，该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，适应性强，可以在不同的电源条件下正常工作。H5TQ1G63BFRH9C的16位数据宽度设计，使得其在数据吞吐量上优于8位接口的DRAM芯片，进一步提升了系统性能。FBGA封装技术不仅提高了封装密度，还减少了信号干扰，提升了高频工作下的稳定性。该芯片的存储容量为128MB，适用于中高端嵌入式系统的主存或缓存应用，能够有效支持图形处理、数据缓冲等需要大内存带宽的任务。
　　在功耗管理方面，H5TQ1G63BFRH9C采用了低功耗模式，支持自刷新和待机模式，以降低系统整体能耗，延长设备的电池寿命。同时，该芯片的制造工艺成熟，具有较高的良品率和长期供货稳定性，适合用于长期运行的工业设备。

应用

H5TQ1G63BFRH9C广泛应用于多种嵌入式系统和工业控制设备，例如工业自动化控制器、测试测量仪器、通信设备、医疗电子设备以及消费类电子产品中的主控模块。该芯片的高性能和稳定性使其适用于需要高速数据处理和大内存容量的应用场景，如图像处理、视频缓冲、数据记录仪等。此外，H5TQ1G63BFRH9C还可用于网络设备中的数据缓存单元，以提升网络传输效率。