72PMR5K 时间：2025/10/10 19:51:24 阅读：20

72PMR5K是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造，适用于高效率的电源管理应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）特性，能够在低电压和中等电流条件下实现高效的功率转换。72PMR5K的主要优势在于其紧凑的封装设计与出色的热性能，使其非常适合空间受限且对散热有要求的应用场景。该MOSFET通常用于负载开关、电池供电设备中的电源路径控制以及DC-DC转换电路中。其额定电压为-20V，连续漏极电流可达-5.1A，能够满足便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对小型化和高能效的需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和稳定性，在工业控制、通信设备及消费类电子领域均有广泛应用。

参数

型号：72PMR5K
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20 V
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：-5.1 A（在TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-16 A
　　导通电阻RDS(on)：23 mΩ（当VGS = -4.5 V）
　　导通电阻RDS(on)：28 mΩ（当VGS = -2.5 V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V ~ -1.5 V
　　输入电容（Ciss）：590 pF（在VDS=10V时）
　　输出电容（Coss）：270 pF
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

特性

72PMR5K采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构显著降低了导通电阻，从而提高了整体能效并减少了热量产生。其低RDS(on)特性在-4.5V和-2.5V的栅极驱动电压下均表现出色，分别达到23mΩ和28mΩ，这使得它在低电压系统中尤其适合用作开关元件。由于其P沟道结构，该MOSFET在高端开关配置中无需额外的电荷泵电路即可实现简单的栅极驱动控制，简化了电源设计并降低了系统成本。
　　该器件的PowerPAK SO-8L封装是一种超薄型表面贴装封装，具有优异的热传导性能，即使在高负载条件下也能有效散热，确保长期运行的可靠性。相比传统SO-8封装，PowerPAK SO-8L去除了引线框架与芯片之间的金属线连接，改用铜夹片（copper clip）进行电气和机械连接，大幅降低了寄生电感和电阻，提升了动态性能和功率密度。这一特点使其特别适用于高频开关电源和紧凑型便携设备。
　　72PMR5K还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。其快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高DC-DC转换器的整体效率。此外，该MOSFET支持逻辑电平驱动，兼容常见的3.3V或5V控制信号，便于与微控制器、电源管理IC等直接接口。总体而言，72PMR5K凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代低功耗、高集成度电源系统中的理想选择。

应用

72PMR5K广泛应用于需要高效能、小体积电源管理解决方案的各类电子设备中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能手表，常被用作电池电源的主开关或负载开关，以实现系统的上电/断电控制和节能管理。其低导通电阻和高电流承载能力确保了在电池供电模式下最大限度地减少能量损耗，延长续航时间。
　　在电源管理系统中，该器件可用于同步整流型降压（Buck）变换器的高端开关，配合N沟道MOSFET完成高效的直流电压转换。由于其P沟道特性，无需复杂的自举电路即可实现栅极驱动，降低了设计复杂度。此外，它也适用于ORing电路、热插拔控制器和过压保护电路中，作为理想的开关元件来防止反向电流或实现冗余电源切换。
　　在工业和通信领域，72PMR5K可用于分布式电源架构中的中间总线转换器、隔离式电源模块的次级侧控制以及FPGA或ASIC的辅助电源域管理。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能在恶劣环境下稳定运行，适用于车载电子、医疗设备和工业自动化控制系统等对可靠性要求较高的场合。同时，由于其符合RoHS标准且不含卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求，因此在绿色能源和可持续设计趋势中也占据重要地位。