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H5TQ1G63BFR12C 发布时间 时间:2025/9/2 0:49:02 查看 阅读:7

H5TQ1G63BFR12C 是一款由SK Hynix(海力士)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型LPDDR3 SDRAM类别。该芯片专为低功耗和高性能应用设计,广泛用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统和其他对功耗和性能都有较高要求的电子产品中。该芯片采用BGA(Ball Grid Array)封装技术,有助于在有限的空间内实现高存储密度。

参数

制造商: SK Hynix
  产品类型: LPDDR3 SDRAM
  存储容量: 1Gb
  数据总线宽度: x64
  时钟频率: 667MHz
  电压供应: 1.8V / 1.5V
  封装类型: BGA
  封装尺寸: 122-ball
  温度范围: 工业级(-40°C至+85°C)

特性

H5TQ1G63BFR12C 的设计注重低功耗和高性能,适用于需要长时间运行的便携式设备。其低电压设计(1.8V / 1.5V)显著降低了功耗,延长了设备的电池续航时间。这款芯片的存储容量为1Gb,数据总线宽度为x64,提供了较高的数据传输速率和系统性能。
  该芯片支持多种低功耗模式,包括预充电电源下降模式、自刷新模式和深度掉电模式,这些功能进一步优化了芯片的能效表现。此外,H5TQ1G63BFR12C 还具备良好的数据保持能力和稳定性,即使在高温或复杂电磁环境下也能可靠运行。
  其采用的122-ball BGA封装技术不仅提高了封装密度,还增强了散热性能,确保芯片在高负载下依然保持稳定的工作状态。这种封装形式也便于自动化生产,降低了制造成本。由于其出色的性能和可靠性,H5TQ1G63BFR12C 成为高端移动设备和嵌入式系统存储解决方案的理想选择之一。

应用

H5TQ1G63BFR12C 主要用于移动设备,如智能手机和平板电脑,作为其主存储器。它也适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统,例如车载娱乐系统、工业控制设备、医疗设备和便携式消费电子产品。此外,该芯片还可用于网络设备和通信模块,以满足其对存储容量和性能的高要求。

替代型号

H5TQ1G63AFR12C, H5TQ1G63EFR12C

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