时间：2025/9/2 0:49:02
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H5TQ1G63BFR12C 是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动型LPDDR3 SDRAM类别。该芯片专为低功耗和高性能应用设计，广泛用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统和其他对功耗和性能都有较高要求的电子产品中。该芯片采用BGA（Ball Grid Array）封装技术，有助于在有限的空间内实现高存储密度。
制造商: SK Hynix
产品类型: LPDDR3 SDRAM
存储容量: 1Gb
数据总线宽度: x64
时钟频率: 667MHz
电压供应: 1.8V / 1.5V
封装类型: BGA
封装尺寸: 122-ball
温度范围: 工业级（-40°C至+85°C）
H5TQ1G63BFR12C 的设计注重低功耗和高性能，适用于需要长时间运行的便携式设备。其低电压设计（1.8V / 1.5V）显著降低了功耗，延长了设备的电池续航时间。这款芯片的存储容量为1Gb，数据总线宽度为x64，提供了较高的数据传输速率和系统性能。
该芯片支持多种低功耗模式，包括预充电电源下降模式、自刷新模式和深度掉电模式，这些功能进一步优化了芯片的能效表现。此外，H5TQ1G63BFR12C 还具备良好的数据保持能力和稳定性，即使在高温或复杂电磁环境下也能可靠运行。
其采用的122-ball BGA封装技术不仅提高了封装密度，还增强了散热性能，确保芯片在高负载下依然保持稳定的工作状态。这种封装形式也便于自动化生产，降低了制造成本。由于其出色的性能和可靠性，H5TQ1G63BFR12C 成为高端移动设备和嵌入式系统存储解决方案的理想选择之一。
H5TQ1G63BFR12C 主要用于移动设备，如智能手机和平板电脑，作为其主存储器。它也适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统，例如车载娱乐系统、工业控制设备、医疗设备和便携式消费电子产品。此外，该芯片还可用于网络设备和通信模块，以满足其对存储容量和性能的高要求。
H5TQ1G63AFR12C, H5TQ1G63EFR12C
