H5TC8G83AMR-H9A 时间：2025/9/2 3:16:06 阅读：5

H5TC8G83AMR-H9A 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）内存技术，专为高性能、低功耗应用场景设计，广泛用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等便携式电子设备。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具有高存储密度和出色的稳定性。

参数

容量：8Gb
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.1V（核心电压VDD），1.8V（I/O电压VDDQ）
　　数据速率：3200Mbps
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　位宽：8位
　　时钟频率：1600MHz
　　封装尺寸：8mm x 10mm
　　封装引脚数：144
　　刷新周期：64ms

特性

H5TC8G83AMR-H9A具备多项先进的性能和设计特点。其LPDDR4架构显著降低了功耗，提升了能效，适合电池供电设备使用。该芯片支持高速数据传输，最高可达3200Mbps的数据速率，确保了设备在处理复杂任务时的流畅性。
　　采用144引脚FBGA封装形式，该芯片在保持高性能的同时实现了紧凑的物理尺寸（8mm x 10mm），有利于节省PCB空间，适用于高密度设计的便携设备。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应了多种环境条件下的稳定运行。
　　内置的温度补偿自刷新（TCSR）功能可优化在不同温度下的数据保持能力，减少功耗并提高系统稳定性。此外，该芯片还支持深度电源关闭（DPD）模式，进一步延长了设备的电池续航时间。
　　其1.1V的核心电压和1.8V的I/O电压设计在保证信号完整性的前提下，降低了整体能耗，符合现代移动设备对节能环保的需求。该芯片的64ms刷新周期确保了数据的长期稳定性，适用于要求高可靠性的应用场合。

应用

H5TC8G83AMR-H9A 主要应用于高性能移动设备，如智能手机和平板电脑，作为主内存用于临时存储运行数据。它也适用于需要高速数据处理的嵌入式系统，如智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及便携式医疗仪器等。由于其低功耗特性，这款DRAM芯片特别适合对电池寿命有严格要求的移动设备。同时，其高速数据传输能力使其适用于图形处理、多任务处理和高性能计算场景。此外，该芯片也可用于需要快速启动和高效能响应的消费类电子产品，如高端路由器、数字电视和多媒体播放器等。