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H5MS2532NFR-E3M 发布时间 时间:2025/9/1 22:26:29 查看 阅读:10

H5MS2532NFR-E3M是由SK Hynix公司制造的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片采用标准的TSOP封装,适用于多种嵌入式系统和高性能计算设备。H5MS2532NFR-E3M以其高存储密度、高速访问时间和低功耗设计著称,是现代电子设备中不可或缺的存储解决方案之一。该芯片广泛用于需要高速数据访问的应用场景,如计算机主板、网络设备、工业控制系统和消费电子产品等。

参数

类型:DRAM
  容量:256Mbit
  组织结构:32M x 8
  封装类型:TSOP
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  时钟频率:166MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数量:54pin

特性

H5MS2532NFR-E3M是一款高性能的DRAM芯片,具有出色的稳定性和可靠性。其256Mbit的存储容量和高速访问能力,使其适用于需要快速数据处理的应用场景。该芯片支持异步操作,具有低功耗模式,可以在不需要高速访问时降低能耗,从而延长设备的电池寿命。
  此外,H5MS2532NFR-E3M采用了先进的CMOS工艺制造,确保了在各种工作条件下的稳定性能。其宽广的工作电压范围(2.3V至3.6V)使其适应不同的电源管理需求,而-40°C至+85°C的宽工作温度范围则确保其在极端环境下的可靠性。
  该DRAM芯片还支持自动刷新和自刷新模式,能够在断电或低功耗状态下保持数据完整性,从而提高系统的整体稳定性。其54引脚的TSOP封装不仅节省空间,还提高了散热效率,适用于高密度PCB布局设计。

应用

H5MS2532NFR-E3M广泛应用于需要高速数据存储和访问的嵌入式系统和电子设备中。例如,它可以用于计算机主板的缓存扩展、网络设备的数据缓冲、工业控制系统的临时存储、以及高端消费电子产品的内存支持。由于其出色的性能和可靠性,这款DRAM芯片也常用于通信设备、医疗仪器和汽车电子系统中。

替代型号

H5MS2532NFR-E3M的替代型号包括ISSI的IS42S16320BQ-6T和Micron的MT48LC16M2A2B4-6A。

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