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H5TC8G63CMR-PBA 发布时间 时间:2025/9/2 11:23:44 查看 阅读:14

H5TC8G63CMR-PBA 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存(HBM)类别。该芯片设计用于满足高性能计算(HPC)、图形处理、AI加速器和高端游戏显卡等对内存带宽和容量要求极高的应用场景。H5TC8G63CMR-PBA 采用堆叠式封装技术(Stacked Die Package),通过硅通孔(TSV)技术实现多层DRAM芯片的垂直互联,显著提高了数据传输速率并减少了功耗。该芯片的工作电压为1.8V,支持高速数据传输速率,适用于需要大规模数据处理能力的系统。

参数

容量:8GB
  类型:DRAM(HBM)
  封装:Stacked Die Package
  电压:1.8V
  数据速率:最高可达1TB/s(系统级)
  接口:HBM2
  TSV技术:支持
  工作温度:标准工业级(-40°C至+85°C)

特性

H5TC8G63CMR-PBA 的核心特性包括其高带宽、低延迟和紧凑的封装设计。通过采用HBM2接口标准,该芯片能够实现极高的数据传输速率,适用于需要快速处理大量数据的GPU、AI加速器和高性能计算系统。堆叠式封装和TSV技术不仅提高了内存带宽,还显著减小了PCB占用空间,使得在有限空间内实现更高的内存密度成为可能。此外,该芯片在功耗方面表现出色,相较于传统GDDR5或DDR4内存,其能效比更高,有助于降低系统整体功耗。H5TC8G63CMR-PBA 还具备良好的热管理和信号完整性设计,能够在高负载下保持稳定运行。

应用

H5TC8G63CMR-PBA 主要应用于需要高带宽内存的高性能计算和图形处理领域。典型应用包括高端显卡、AI加速卡、深度学习训练和推理系统、数据中心GPU加速器、虚拟现实(VR)设备以及高性能游戏主机。此外,该芯片也适用于科学计算、图像处理、视频渲染和边缘计算等需要大规模并行数据处理的场景。

替代型号

H5TC8G63CMR-PBA 的替代型号包括三星(Samsung)的HBMR2-8GB系列,如HBMR25H8BFR08C-12S,以及美光(Micron)的HBM2e系列产品,如MT61K512A256A1-12H。这些型号在容量、带宽和性能方面具有相似特性,可根据具体应用需求进行选型替代。

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