时间：2025/8/2 8:20:23
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DMN3067LW-7是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型MOSFET，采用TSSOP封装形式，适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率效率，适合用于电源管理、负载开关、电机控制以及DC-DC转换器等场景。该MOSFET在设计上优化了热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型：双N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5.6A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：37mΩ @ VGS=10V，32mΩ @ VGS=12V
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP
DMN3067LW-7 MOSFET的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其双N沟道结构允许在多个应用中并联使用，从而实现更高的电流处理能力。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗。
其封装设计提供了良好的热管理性能，确保在高电流操作下的稳定性。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于要求严苛的工业环境。此外，其±20V的栅源电压耐受能力使得该器件在面对瞬态电压波动时仍能保持可靠运行。
DMN3067LW-7的封装尺寸小巧，适用于空间受限的设计，同时具备良好的焊接可靠性和可制造性，适合自动化装配流程。
该器件广泛应用于电源管理系统，包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源开关控制。此外，DMN3067LW-7也常用于DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备中的高频率开关电路。
在汽车电子系统中，它可用于车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等应用。由于其良好的热性能和高可靠性，DMN3067LW-7也非常适合用于需要长时间高负载运行的工业电源设备。
Si3442DV, DMN3064LW-7, FDS6680, NDS355AN
