时间：2025/9/1 11:46:38
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H5TC8G63CMR-G7R 是海力士（SK hynix）生产的一款DRAM内存芯片，属于高带宽存储器（High Bandwidth Memory, HBM）类别。该芯片专为高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器和网络设备等需要高数据吞吐量的应用而设计。其采用3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV）实现多层DRAM芯片的垂直互连，显著提高了数据传输速率和存储密度。
容量：8Gb
组织结构：x64
封装类型：FCBGA
数据速率：2.4Gbps
电压：1.2V
接口标准：HBM2
工作温度：0°C 至 +85°C
H5TC8G63CMR-G7R 的核心特性包括其高带宽、低延迟和紧凑的封装设计。该芯片支持高达2.4Gbps的数据传输速率，确保了在高性能计算和图形处理中的高效数据流。其HBM2接口标准提供了增强的带宽效率和更高的容量扩展能力。此外，采用FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装，有助于减少信号路径长度，降低功耗，并提高电气性能。该芯片的3D堆叠结构和TSV技术也使得其在有限的PCB空间内实现更高的存储密度。
H5TC8G63CMR-G7R 还具备出色的热管理性能，能够在高负载工作条件下保持稳定运行。其工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数工业级应用。此外，该芯片还支持多种电源管理模式，有助于在低功耗状态下延长系统电池寿命或降低整体功耗。
H5TC8G63CMR-G7R 主要应用于高性能计算平台、图形处理器（GPU）、人工智能加速器、数据中心服务器、高端网络设备以及需要大量高速存储的嵌入式系统。由于其卓越的带宽性能和紧凑的设计，该芯片非常适合用于需要大量并行数据处理的场景，如深度学习训练、科学计算、实时数据分析和高分辨率图形渲染等。
此外，H5TC8G63CMR-G7R 也适用于需要快速响应和高吞吐量的工业自动化设备、医疗成像系统和测试测量仪器。在这些应用中，该内存芯片能够提供稳定、可靠的数据存储和传输能力，满足系统对高性能存储的严格要求。
H5TC8G63CMR-P2C, H5TC4G63CMR-G7R
