时间：2025/9/2 3:40:18
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H5TC8G43AMR-PBA ES 是由SK海力士（SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分，适用于需要高速数据存取的应用场景。该型号为8GB容量，采用GDDR6技术，具备较高的数据传输速率和能效表现。ES版本通常表示工程样品（Engineering Sample），用于开发和测试阶段，而非正式量产产品。
容量：8GB
内存类型：GDDR6 SDRAM
接口类型：并行
数据传输速率：12 Gbps
电压：1.35V
封装类型：FBGA
引脚数量：192
工作温度范围：0°C 至 85°C
时钟频率：1.5GHz
H5TC8G43AMR-PBA ES具备多个关键特性，使其在高性能计算和图形处理领域中表现优异。
首先，该芯片采用GDDR6内存技术，相较于前代GDDR5，其数据传输速率提升显著，达到12 Gbps，同时功耗更低，提高了能效比。这种特性使得H5TC8G43AMR-PBA ES非常适合用于显卡、游戏主机、高性能计算设备以及需要大量数据吞吐的AI加速器。
其次，该芯片的1.35V低电压设计有助于减少功耗和热量产生，从而在高负载应用中保持稳定运行。此外，其192引脚的FBGA封装设计不仅提供了良好的电气性能，还增强了散热能力，适合在紧凑型设备中使用。
再者，H5TC8G43AMR-PBA ES的工作温度范围为0°C至85°C，表明其具备良好的环境适应能力，可在多种工业和消费类设备中稳定运行。这使其成为适用于宽温环境下的嵌入式系统和工业计算机的理想选择。
作为工程样品（ES）版本，该芯片通常用于产品开发和测试阶段，允许设计人员在最终量产前验证其性能和兼容性。虽然ES版本可能存在某些未完全优化的细节，但其功能和性能已接近最终量产版本，能够有效支持系统设计和验证。
H5TC8G43AMR-PBA ES主要应用于需要高性能内存的电子设备，包括高端显卡、游戏主机、工作站、AI加速卡以及嵌入式系统。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片特别适用于图形渲染、深度学习、实时视频处理以及工业自动化等对内存性能要求较高的场景。此外，该芯片也可用于测试和验证新平台的内存兼容性，帮助工程师在产品正式发布前进行充分调试。
H5TC8G43AMR-PBA
