时间：2025/9/2 10:04:02
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H5TC4G83EFR-RDA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的内存产品系列。该芯片采用了先进的工艺技术，具备高容量、低功耗和高速传输的特点，广泛应用于高端计算机、服务器、网络设备以及工业控制系统等领域。H5TC4G83EFR-RDA 的容量为4Gbit，采用x8的组织方式，属于FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装类型，能够在较为复杂的电子环境中保持稳定运行。
容量：4Gbit
组织方式：x8
封装类型：FBGA
工作电压：1.35V/1.5V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H5TC4G83EFR-RDA 是一款支持DDR3标准的DRAM芯片，具有较高的数据传输速率和较低的功耗。其主要特性包括：高容量存储、低电压运行、宽温度适应性以及出色的稳定性。该芯片的x8组织方式意味着每个芯片具有8位数据总线宽度，适用于需要大容量内存的应用场景。此外，它采用了FBGA封装技术，有助于提高芯片的散热性能和电气特性，从而在高密度PCB布局中保持良好的信号完整性。
H5TC4G83EFR-RDA 的工作电压为1.35V或1.5V，分别对应不同的功耗等级。这种双电压支持设计使其能够在性能和功耗之间进行灵活选择，适应不同的系统需求。此外，该芯片支持宽温度范围（-40°C ~ +85°C），可在恶劣的工业环境下稳定运行，适合用于工业自动化、通信设备以及车载系统等场景。
在数据传输方面，H5TC4G83EFR-RDA 支持DDR3 SDRAM接口，具备较高的时钟频率和数据传输速率，能够满足高速数据处理的需求。其内部设计支持自动刷新和自刷新功能，有助于减少外部控制器的负担，提高系统的整体效率。
H5TC4G83EFR-RDA 主要应用于需要高性能和大容量内存的电子设备，如台式机、笔记本电脑、服务器、工业计算机、通信设备、嵌入式系统以及车载电子系统。由于其宽温度范围和高稳定性的特点，该芯片也适用于一些对可靠性要求较高的工业和汽车应用。在服务器和高端计算机中，H5TC4G83EFR-RDA 可以作为主内存使用，提供高速的数据访问能力，提升系统运行效率。而在通信设备中，该芯片则可以用于缓存和数据处理，确保高速数据传输的稳定性和可靠性。
H5TC4G83EFR-RDA 可以被 H5TC4G63AHR-RDA 或 H5TQ4G63AFR-H9D 替代
