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H5TC4G83BMR-G7A 发布时间 时间:2025/9/1 13:30:43 查看 阅读:11

H5TC4G83BMR-G7A 是一款由SK hynix(海力士)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高带宽内存解决方案的一部分。该芯片设计用于满足高性能计算、图形处理以及网络设备等领域对高速内存访问的需求。H5TC4G83BMR-G7A 采用了先进的DRAM制造工艺,并支持JEDEC标准接口,确保了其在多种系统中的兼容性和可靠性。这款内存芯片以高性能、低功耗和稳定性著称,广泛应用于高端服务器、工作站、图形加速卡以及需要大量内存带宽的嵌入式系统。

参数

类型: DRAM
  容量: 4Gb (512MB)
  组织结构: x8, x16
  电压: 1.35V (低电压版本)
  时钟频率: 高达2133MHz
  数据速率: 2133Mbps
  接口: JEDEC兼容接口
  封装类型: FBGA
  封装尺寸: 8mm x 13mm
  温度范围: 工业级温度范围 (-40°C 至 +85°C)
  工作电压范围: 1.3V 至 1.4V
  CAS延迟: 可编程延迟
  刷新周期: 自动/自刷新模式

特性

H5TC4G83BMR-G7A 是一款高性能的DRAM芯片,具备多种显著特性,使其适用于高性能计算和复杂系统设计。首先,其支持高达2133Mbps的数据速率,能够提供非常高的数据吞吐能力,满足对内存带宽要求极高的应用场景,如图形渲染、AI加速和高性能计算(HPC)。其次,该芯片采用低电压设计(1.35V),在保证高性能的同时降低了功耗,适用于对能效有较高要求的设备,如服务器和便携式工业设备。
  该DRAM芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在系统进入低功耗状态时显著降低功耗,延长电池寿命,同时确保数据完整性。其JEDEC兼容接口确保了与主流内存控制器的兼容性,简化了系统设计和集成过程。此外,H5TC4G83BMR-G7A 采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,具有良好的热管理和电气性能,适合在空间受限的高密度PCB布局中使用。
  该芯片还具备可编程的CAS延迟和突发长度,允许用户根据系统需求进行优化配置,以实现最佳性能。其支持x8和x16两种数据宽度模式,提高了灵活性,适用于不同的内存架构设计。此外,工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了该芯片在各种严苛环境下的稳定运行,适用于工业控制、车载系统和通信设备等应用。

应用

H5TC4G83BMR-G7A 的高性能和低功耗特性使其广泛应用于多个高端技术领域。在图形处理方面,该芯片可用于GPU显存系统,为高分辨率渲染、游戏引擎和图形加速提供足够的带宽支持。在服务器和高性能计算(HPC)系统中,该DRAM芯片可作为高速缓存或主内存,提高系统整体处理效率和响应速度。
  此外,H5TC4G83BMR-G7A 也适用于网络设备,如路由器、交换机和5G基站,用于处理高速数据传输和缓冲任务。在嵌入式系统和工业自动化设备中,该芯片可提供稳定的内存支持,适用于需要长时间运行和高可靠性的应用场景。汽车电子领域中,该芯片可用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶计算平台,确保系统在复杂环境下仍能保持高效稳定运行。
  由于其低功耗和宽温度范围特性,H5TC4G83BMR-G7A 还可用于便携式医疗设备、测试仪器和工业控制模块,满足对稳定性和能效的双重需求。

替代型号

H5TC4G63BFR-PBA, H5TC4G63AMR-PBC, H5TC4G63AMR-PBA, H5TC4G83AMR-G7C

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