H5TC4G83BFR-RDA 时间：2025/9/2 1:56:38 阅读：8

H5TC4G83BFR-RDA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器产品系列。这款DRAM芯片采用的是4Gbit（512MB）的存储容量，支持高速数据访问，适用于需要大容量内存和高性能计算的应用场景。

参数

存储容量：4Gbit（512MB）
　　内存类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.2V - 1.8V（根据具体规格）
　　数据速率：800Mbps（根据具体规格）
　　工作温度：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行接口

特性

H5TC4G83BFR-RDA具备多项先进的特性和技术优势，确保其在多种复杂环境下的稳定运行和高效性能。首先，这款DRAM芯片采用了高密度存储技术，提供4Gbit（512MB）的大容量存储能力，满足对数据存储需求较高的应用场景。其并行接口设计支持高速数据传输，最高数据速率可达800Mbps，从而显著提升系统的数据处理能力。
　　此外，H5TC4G83BFR-RDA支持宽电压范围操作，通常为1.2V至1.8V，这使其能够适应不同的电源供应条件，并在低功耗模式下仍能保持稳定的运行。芯片的封装采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）形式，这种封装技术不仅节省空间，还能提供更好的散热性能和电气性能，适用于紧凑型电子设备设计。

应用

H5TC4G83BFR-RDA广泛应用于需要高性能内存的电子设备和系统中。典型的应用领域包括网络设备（如路由器和交换机）、嵌入式系统（如工业控制设备和自动化设备）、消费电子产品（如智能电视和高端智能手机）以及高性能计算设备（如图形处理器和视频处理模块）。此外，该芯片也适用于需要大容量内存和高速数据访问的物联网（IoT）设备和边缘计算设备，能够显著提升系统的响应速度和整体性能。