时间：2025/9/1 13:08:07
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H5TC4G83BFR-H9R是一款由SK Hynix生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）类别。该存储器采用3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV，Through Silicon Via）实现多层存储芯片的垂直互连，从而提供比传统GDDR5或DDR4内存更高的带宽和更小的封装尺寸。H5TC4G83BFR-H9R专为高性能计算、图形处理、AI加速器和数据中心应用而设计，适用于需要高带宽和低功耗的场景。
容量：4GB
类型：DRAM，HBM2
工作电压：1.2V
数据速率：2.4Gbps
封装类型：3D堆叠，BGA
引脚数：1024
带宽：约307GB/s（基于2.4Gbps速率）
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
H5TC4G83BFR-H9R采用先进的HBM2技术，具备高带宽和低功耗特性。其3D堆叠结构通过TSV技术连接多个DRAM层，显著减少芯片占板面积并提升数据传输效率。该芯片支持多层堆叠配置，适用于GPU、FPGA和AI加速器等需要大量并行数据处理的应用场景。其高带宽特性使其在深度学习、图像渲染和高性能计算中表现出色。此外，该芯片具备出色的热管理和稳定性，适用于严苛的工业和数据中心环境。
H5TC4G83BFR-H9R主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）加速器、图形处理器（GPU）、现场可编程门阵列（FPGA）、数据中心服务器以及高端游戏显卡。此外，它也适用于需要高带宽和低延迟的网络设备和工业控制系统。
H5TC4G83AFR-P9R, H5TC4G64AFR-P9R
