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H5TC4G83BFR-H9R 发布时间 时间:2025/9/1 13:08:07 查看 阅读:4

H5TC4G83BFR-H9R是一款由SK Hynix生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器(HBM,High Bandwidth Memory)类别。该存储器采用3D堆叠封装技术,通过硅通孔(TSV,Through Silicon Via)实现多层存储芯片的垂直互连,从而提供比传统GDDR5或DDR4内存更高的带宽和更小的封装尺寸。H5TC4G83BFR-H9R专为高性能计算、图形处理、AI加速器和数据中心应用而设计,适用于需要高带宽和低功耗的场景。

参数

容量:4GB
  类型:DRAM,HBM2
  工作电压:1.2V
  数据速率:2.4Gbps
  封装类型:3D堆叠,BGA
  引脚数:1024
  带宽:约307GB/s(基于2.4Gbps速率)
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

H5TC4G83BFR-H9R采用先进的HBM2技术,具备高带宽和低功耗特性。其3D堆叠结构通过TSV技术连接多个DRAM层,显著减少芯片占板面积并提升数据传输效率。该芯片支持多层堆叠配置,适用于GPU、FPGA和AI加速器等需要大量并行数据处理的应用场景。其高带宽特性使其在深度学习、图像渲染和高性能计算中表现出色。此外,该芯片具备出色的热管理和稳定性,适用于严苛的工业和数据中心环境。

应用

H5TC4G83BFR-H9R主要应用于高性能计算(HPC)、人工智能(AI)加速器、图形处理器(GPU)、现场可编程门阵列(FPGA)、数据中心服务器以及高端游戏显卡。此外,它也适用于需要高带宽和低延迟的网络设备和工业控制系统。

替代型号

H5TC4G83AFR-P9R, H5TC4G64AFR-P9R

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