H5TC4G63MFR-PBA 时间：2025/9/2 7:05:26 阅读：11

H5TC4G63MFR-PBA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的半导体技术，具备较高的存储密度和稳定的工作性能，广泛应用于各类电子设备中，如计算机、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备等。这款DRAM芯片的容量为4Gb，采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，适合在空间受限的设备中使用。

参数

容量：4Gb
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.35V
　　接口类型：DDR3 SDRAM
　　时钟频率：最高支持800MHz
　　封装类型：FBGA
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：0°C至85°C

特性

H5TC4G63MFR-PBA 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，专为现代计算和存储应用设计。该芯片采用了先进的DDR3 SDRAM技术，具有较高的数据传输速率和较低的功耗，适合对能效要求较高的设备。其工作电压为1.35V，相较于传统的1.5V DDR3芯片，能够在保证性能的同时降低功耗，延长电池续航时间。
　　此外，该芯片采用了FBGA封装技术，使得其在高密度电路板上具有良好的电气性能和散热能力。54引脚的封装设计不仅节省空间，还提高了信号完整性，减少了信号干扰，适合用于高频率操作环境。

应用

H5TC4G63MFR-PBA 被广泛应用于各种电子设备中，包括台式机、笔记本电脑、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机等。由于其低功耗和高性能特性，也适用于便携式设备和需要长时间运行的工业设备。此外，该芯片还可用于消费类电子产品，如智能电视、游戏机和多媒体播放器等，以提升设备的整体性能和响应速度。