类型：线性霍尔效应传感器
　　输出类型：模拟电压输出
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　灵敏度：2.5 mV/G
　　输出偏移电压：±10 mV（典型值）
　　静态输出电压：2.5V（无磁场条件下）
　　磁感应范围：±1000 Gauss
　　响应时间：10 μs
　　封装类型：SOT23-5
　　安装类型：表面贴装

A1365LLETR-T具有高精度和稳定性的线性霍尔效应传感性能，能够在广泛的磁场范围内提供线性输出电压。其内置的温度补偿电路有效减少了温度变化对输出的影响，确保在不同温度环境下仍能保持较高的测量精度。
　　该芯片采用了低噪声输出设计，提高了信号的稳定性和可靠性，适用于对精度要求较高的应用场景。同时，A1365LLETR-T具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
　　此外，A1365LLETR-T的电源电压范围较宽（4.5V至5.5V），便于与多种电源系统兼容。其封装形式为SOT23-5，体积小巧，便于集成在空间受限的电路板上。
　　芯片内部采用先进的BiCMOS工艺制造，具有较低的功耗和良好的长期稳定性，适合用于电池供电设备或需要长时间运行的应用场合。

A1365LLETR-T广泛应用于需要磁场检测和测量的各类电子系统中。例如，在汽车电子领域，它可以用于检测节气门位置、油门踏板位置、转向角度或速度检测等。在工业自动化中，该芯片可用于无接触位置检测、电动机控制、阀门位置监测等应用。
　　此外，A1365LLETR-T还可用于消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑中的磁性附件检测，或可穿戴设备中的运动感应系统。在家电领域，该传感器可实现无接触开关控制、水流或气流检测等功能。
　　由于其高灵敏度和线性输出特性，A1365LLETR-T也可用于精密仪器中，如磁场强度测量仪、磁性材料检测设备等。同时，它也适用于机器人系统中的位置反馈控制和导航系统中的磁场传感应用。

A1321ELHLT-T, A1322ELHLT-T, A1364LLTR-T