时间：2025/9/2 7:40:43
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H5TC4G63EFR-N0C是一款由SK Hynix（海力士）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分，通常用于需要高速数据处理的电子设备中。这款DRAM芯片具有4Gbit的存储容量，采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具备出色的性能和稳定性。H5TC4G63EFR-N0C常用于高端计算机、图形处理单元（GPU）、网络设备以及工业控制系统等领域。
存储容量：4Gbit
存储类型：DRAM
封装类型：FBGA
电压：1.2V
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据速率：1600Mbps
接口类型：并行
时钟频率：800MHz
行地址位数：15位
列地址位数：10位
数据总线宽度：x16
H5TC4G63EFR-N0C是一款高性能DRAM芯片，具有高带宽和低延迟的特点，适用于需要快速数据访问的应用场景。该芯片支持高速数据传输，能够满足现代计算系统中对内存性能的高要求。其采用的FBGA封装技术不仅提高了芯片的散热性能，还增强了其机械稳定性和可靠性，适用于紧凑型电子设备的设计。此外，H5TC4G63EFR-N0C具有较低的工作电压（1.2V），能够在保证性能的同时降低功耗，从而提高设备的能效。该芯片还支持自动刷新功能，有助于维持数据的完整性，减少外部控制器的负担。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业级应用，能够在各种严苛环境中稳定运行。
H5TC4G63EFR-N0C广泛应用于需要高性能内存的电子设备中，包括高端个人计算机、服务器、图形处理单元（GPU）、网络交换机和路由器、工业控制系统、嵌入式系统以及消费类电子产品如高端游戏主机和智能电视。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片特别适合需要快速数据处理和大量内存的应用场景。
H5TC4G63EFR-N0C的替代型号可能包括其他1600Mbps速率的DRAM芯片，例如Samsung的K4B4G1646Q-BCK0或Micron的MT48LC16M16A2B4-6A。
