时间：2025/9/2 3:41:29
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H5TC4G63CFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的内存产品系列。这款DRAM芯片的容量为4Gbit（Gigabit），采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，适用于各种需要高速存储的应用场景，如移动设备、嵌入式系统和网络设备等。H5TC4G63CFR-RDC 的设计旨在提供高性能和低功耗特性，以满足现代电子设备对存储性能和能效的双重需求。
容量：4Gbit
组织方式：x16
封装类型：FBGA
引脚数量：59
工作电压：1.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据速率：166MHz
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
H5TC4G63CFR-RDC DRAM芯片具备多项高性能和可靠性特性。其4Gbit的存储容量和x16的数据组织方式，使得它能够在各种应用中提供高效的存储解决方案。采用FBGA封装技术，不仅减小了芯片的体积，还提高了其热稳定性和电气性能。该芯片支持1.7V至3.6V的宽电压范围，使其在不同的电源条件下都能稳定运行，同时具备较低的功耗特性，适合电池供电设备使用。
此外，H5TC4G63CFR-RDC具有64ms的自动刷新周期，确保数据在断电前能够保持完整。其5.4ns的访问时间能够满足高速数据处理需求，适用于需要快速存取的应用场景。该芯片还具备良好的温度适应性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适用于各种严苛的工作环境。
H5TC4G63CFR-RDC DRAM芯片广泛应用于多种电子设备和系统中。由于其高性能和低功耗特性，它常被用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及工业控制设备中。在移动设备领域，该芯片可以为操作系统和应用程序提供快速的数据存取支持，提升设备的整体响应速度和用户体验。在网络设备中，如路由器和交换机，H5TC4G63CFR-RDC可用于缓存数据，提升网络传输效率。此外，它还适用于汽车电子系统、消费类电子产品以及医疗设备等对存储性能和稳定性有较高要求的领域。
H5TC4G63CFR-RDC的替代型号包括H5TC4G63CFR-PBA和H5TC4G63CFR-ROC，这些型号在封装、容量和性能上具有相似之处，可根据具体应用需求进行选择。
