类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：50A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：220nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXGK50N50BU1 的核心特性包括其高耐压能力和大电流处理能力，这使其成为工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器以及高功率 DC-DC 转换器的理想选择。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的快速开关能力降低了开关损耗，使其能够在高频条件下运行，从而减小了外部电感和电容的尺寸，提高了系统的功率密度。MOSFET 的 TO-247 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在严苛的工作环境中依然保持可靠的性能。此外，该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了其在突发电压和电流条件下的可靠性。
　　该 MOSFET 还具有良好的线性工作区，适合用于线性稳压器和其他需要精确控制的应用。其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，简化了设计过程。此外，IXGK50N50BU1 在高温下的性能保持稳定，确保了在连续高负载条件下的可靠性。

IXGK50N50BU1 被广泛应用于工业电源系统，如高频开关电源、逆变器、电机控制和变频器等。它也适用于高功率 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）系统以及各种电力电子设备中的功率开关。此外，该器件还可用于音频放大器、测试设备和自动化控制系统中，作为高电压、高电流开关使用。其优异的热性能和电气性能使其成为需要高可靠性和高效率的工业和消费类应用的理想选择。

IXGK50N60BU1, IXGK50N50C2U1