H5TC4G63CFR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于高密度存储器,广泛应用于需要高速存储访问的电子设备中,如个人电脑、服务器、嵌入式系统以及网络设备等。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备高性能、低功耗和高可靠性等特点。
容量:4Gb
组织结构:x64
电压:1.2V/1.5V(根据具体后缀可能有所不同)
封装类型:FBGA
接口类型:DDR3 SDRAM
工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)或0°C至70°C(商业级)
H5TC4G63CFR具有多个显著的技术特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,它支持DDR3接口标准,具备较高的数据传输速率,能够满足现代计算系统对内存带宽的需求。其次,该芯片采用先进的低功耗设计,有助于降低设备的整体能耗,延长电池寿命,特别适合用于便携式电子产品。此外,该芯片具有良好的热稳定性和抗干扰能力,在高负载运行环境下仍能保持稳定工作。其工业级温度版本支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于严苛环境下的应用,如工业控制、汽车电子等。最后,H5TC4G63CFR还支持多种刷新模式和自刷新功能,确保数据的完整性,同时支持突发读写操作,提高数据访问效率。
在封装方面,H5TC4G63CFR采用小型化的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,有助于节省PCB空间,提高布线灵活性。同时,其内部结构优化设计,提高了信号完整性和电气性能。这些特性使得该芯片在嵌入式系统、网络设备、消费类电子产品中均有广泛应用。
H5TC4G63CFR被广泛用于各种高性能电子设备中。例如,在消费类电子产品中,它常用于智能手机、平板电脑、智能电视等设备的主内存,以提升系统的运行速度和多任务处理能力。在嵌入式系统中,该芯片可用于工业控制、医疗设备、自动化仪器等,为系统提供稳定、高速的存储支持。在网络设备方面,如路由器、交换机等,该芯片可作为缓存或主存,提升数据处理效率。此外,H5TC4G63CFR还可用于服务器、个人电脑、笔记本电脑等计算设备中,作为系统内存使用,提升整体性能。
H5TC4G63CFR-RD H5TC4G63CFR-RL H5TC4G63CFR-RC