时间：2025/9/2 10:21:41
阅读：11
H5TC4G63AFR-PBR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度DRAM产品系列。该芯片采用先进的制造工艺，提供高性能和低功耗的特点，适用于各种高性能计算设备和嵌入式系统。H5TC4G63AFR-PBR 的容量为4Gb（Gigabit），属于移动DRAM（mDRAM）类别，通常用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
容量：4Gb
类型：DRAM
封装类型：FBGA
电压：1.5V / 1.35V
数据速率：1600Mbps
位宽：x32
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：9mm x 13mm
技术工艺：20nm 或 25nm
H5TC4G63AFR-PBR 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，具有多个显著特性。首先，其采用先进的20nm或25nm制造工艺，使得芯片在保持高密度的同时，能够有效降低功耗。这对于便携式设备尤为重要，因为它可以延长电池寿命并减少发热。其次，该芯片支持1.5V或1.35V的电源电压，进一步优化了功耗表现。1.35V的低压模式特别适用于对能效要求较高的移动设备。
此外，H5TC4G63AFR-PBR 的数据传输速率达到1600Mbps，确保了高速的数据访问能力，满足现代设备对内存带宽的需求。其x32的位宽设计使得每个时钟周期可以传输更多的数据，从而提升整体性能。该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，尺寸为9mm x 13mm，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。
这款DRAM芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种严苛的环境条件，确保在不同应用场景下的稳定运行。H5TC4G63AFR-PBR 还支持多种节能模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，进一步延长设备的电池续航时间。
H5TC4G63AFR-PBR 广泛应用于高性能移动设备和嵌入式系统中。由于其高速、低功耗和小尺寸的特点，该芯片常用于智能手机和平板电脑等便携式电子产品中，作为主内存或图形内存使用。它能够为这些设备提供流畅的多任务处理能力和高质量的图形渲染性能。
此外，H5TC4G63AFR-PBR 也适用于嵌入式系统，如工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）和医疗设备。这些应用通常对内存的可靠性和稳定性有较高要求，而H5TC4G63AFR-PBR 的宽工作温度范围和多种节能模式使其能够胜任这些苛刻的环境。
在消费类电子产品中，该芯片还可能用于智能电视、机顶盒和网络设备中，以提供足够的内存带宽来支持高清视频流和高速网络连接。总之，H5TC4G63AFR-PBR 凭借其高性能、低功耗和广泛的应用兼容性，成为多种电子设备中的理想内存解决方案。
H5TC4G63AFAR-PBR, H5TC4G63AFB-PB, H5TC4G63AFR-RD
