类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃时）
　　最大功率耗散(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为8.5mΩ（当Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃

KB926QF-D3的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。在高功率应用中，这种特性尤为重要，因为它可以减少热量产生，提高系统的整体稳定性。
　　其次，该MOSFET采用TO-263（D2Pak）封装形式，具有良好的热管理和散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在高密度PCB设计中使用。此外，该封装具备较高的机械强度和耐高温能力，适用于严苛的工作环境。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，在+10V至+20V之间均可稳定工作，便于与多种驱动电路兼容。同时，其具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过电压情况下的可靠性。
　　此外，KB926QF-D3具备快速开关特性，能够支持高频开关操作，适用于诸如同步整流、高效DC-DC变换器等要求快速响应的应用场景。其开关损耗较低，有助于进一步提高系统的能效。
　　从制造工艺来看，该MOSFET采用平面硅工艺制造，具备良好的均匀性和稳定性，确保了器件在各种工况下的长期可靠性。

KB926QF-D3广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在需要高效率和高电流承载能力的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源系统、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统等。
　　在开关电源中，KB926QF-D3可用作主开关管或同步整流管，显著提升转换效率。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频率工作环境下表现优异，适用于高效能、小型化的电源设计。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET适用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，作为主功率开关使用。其优异的热管理能力使其在高负载条件下仍能保持稳定运行，适用于便携式电子设备、车载电源系统等场景。
　　在电机控制和驱动电路中，KB926QF-D3可作为H桥结构中的功率开关器件，实现对电机方向和速度的精确控制。其高电流承载能力和抗瞬态电压能力，使其在电动工具、电动车控制器等应用中表现出色。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统中的充放电控制电路，能够有效管理大容量锂电池的充放电过程，提高电池的使用寿命和安全性。

IRF1404、Si4410DY、AUIRF1404、FDMS86101、FDMS86180