H5TC4G63AFR-11CR 时间：2025/9/2 6:54:08 阅读：18

H5TC4G63AFR-11CR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于高密度存储器件，广泛应用于需要高性能存储解决方案的电子设备中，例如个人电脑、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备等。该型号的存储容量为4Gbit（Gigabits），属于DDR4 SDRAM类别，具有低功耗和高速度的特点，适用于现代高性能计算环境。

参数

容量：4Gbit
　　类型：DDR4 SDRAM
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.2V
　　时钟频率：最高可达3200MHz
　　数据速率：3200Mbps
　　组织结构：x16位宽
　　工作温度范围：0°C至85°C

特性

H5TC4G63AFR-11CR 采用先进的DRAM技术，具有以下显著特性：
　　1. **高性能**：支持高达3200Mbps的数据速率，使得数据传输更加迅速，适用于高性能计算和大数据处理场景。
　　2. **低功耗设计**：运行电压仅为1.2V，相较于传统的DDR3 SDRAM，功耗显著降低，有助于提高设备的能效并延长电池寿命。
　　3. **紧凑封装**：采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，体积小巧，适合高密度电路板设计，便于在空间受限的设备中使用。
　　4. **稳定性与可靠性**：工作温度范围为0°C至85°C，能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业级和嵌入式系统。
　　5. **兼容性**：该芯片设计符合JEDEC标准，确保与主流主板和控制器的兼容性，简化了系统集成和升级过程。
　　6. **可扩展性**：由于其高密度存储特性，用户可以轻松构建更大容量的内存系统，满足不断增长的数据处理需求。

应用

H5TC4G63AFR-11CR 被广泛应用于多种需要高性能和低功耗存储解决方案的设备中。例如：
　　1. **个人电脑和笔记本电脑**：用于提升系统运行速度，特别是在多任务处理、图形密集型应用和大型软件运行时表现优异。
　　2. **服务器和数据中心**：由于其高速数据传输能力和低功耗特性，适用于服务器内存模块，支持大规模数据存储和快速访问。
　　3. **嵌入式系统**：在工业控制、网络设备和通信基础设施中，该芯片能够提供可靠的存储性能，适应复杂的工作环境。
　　4. **消费类电子产品**：如高端智能手机、平板电脑和智能电视，能够提升设备的响应速度和用户体验。
　　5. **汽车电子系统**：用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）等应用，确保在各种驾驶条件下稳定运行。