H5TC4G63AFR-11CR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于高密度存储器件,广泛应用于需要高性能存储解决方案的电子设备中,例如个人电脑、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备等。该型号的存储容量为4Gbit(Gigabits),属于DDR4 SDRAM类别,具有低功耗和高速度的特点,适用于现代高性能计算环境。
容量:4Gbit
类型:DDR4 SDRAM
封装类型:FBGA
电压:1.2V
时钟频率:最高可达3200MHz
数据速率:3200Mbps
组织结构:x16位宽
工作温度范围:0°C至85°C
H5TC4G63AFR-11CR 采用先进的DRAM技术,具有以下显著特性:
1. **高性能**:支持高达3200Mbps的数据速率,使得数据传输更加迅速,适用于高性能计算和大数据处理场景。
2. **低功耗设计**:运行电压仅为1.2V,相较于传统的DDR3 SDRAM,功耗显著降低,有助于提高设备的能效并延长电池寿命。
3. **紧凑封装**:采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,体积小巧,适合高密度电路板设计,便于在空间受限的设备中使用。
4. **稳定性与可靠性**:工作温度范围为0°C至85°C,能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业级和嵌入式系统。
5. **兼容性**:该芯片设计符合JEDEC标准,确保与主流主板和控制器的兼容性,简化了系统集成和升级过程。
6. **可扩展性**:由于其高密度存储特性,用户可以轻松构建更大容量的内存系统,满足不断增长的数据处理需求。
H5TC4G63AFR-11CR 被广泛应用于多种需要高性能和低功耗存储解决方案的设备中。例如:
1. **个人电脑和笔记本电脑**:用于提升系统运行速度,特别是在多任务处理、图形密集型应用和大型软件运行时表现优异。
2. **服务器和数据中心**:由于其高速数据传输能力和低功耗特性,适用于服务器内存模块,支持大规模数据存储和快速访问。
3. **嵌入式系统**:在工业控制、网络设备和通信基础设施中,该芯片能够提供可靠的存储性能,适应复杂的工作环境。
4. **消费类电子产品**:如高端智能手机、平板电脑和智能电视,能够提升设备的响应速度和用户体验。
5. **汽车电子系统**:用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)等应用,确保在各种驾驶条件下稳定运行。
H5TC4G63AFR-11CR 的替代型号包括 H5TC4G63AFR-11C 和 H5TC4G63AFR-11CA,这些型号在性能和封装上相似,可以根据具体应用需求进行选择。