H5TC4G43AFR是SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片的型号。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具有较高的性能和可靠性,广泛应用于计算机、服务器、网络设备以及嵌入式系统等领域。H5TC4G43AFR的具体配置是4Gbit容量、x4位宽、运行频率为1600MHz,属于低功耗DDR3L(LPDDR3)类型的内存芯片。
容量:4Gbit
位宽:x4
类型:LPDDR3 SDRAM
频率:1600MHz
电压:1.35V
封装类型:FBGA
引脚数:178
工作温度范围:-40°C至85°C
H5TC4G43AFR具备低功耗特性,其工作电压为1.35V,相较于标准DDR3内存芯片,功耗更低,适合用于对能耗敏感的移动设备和嵌入式系统。
该芯片支持自动刷新和自刷新功能,有助于保持数据的稳定性并降低系统功耗。
H5TC4G43AFR的工作频率为1600MHz,提供较高的数据传输速率,适用于需要高速数据处理的应用场景。
该芯片采用178引脚的FBGA封装,体积小,适合高密度PCB布局,提高系统的整体稳定性。
此外,H5TC4G43AFR具备良好的温度适应性,可在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作,适合工业控制、车载电子等复杂环境应用。
H5TC4G43AFR常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备,作为主存储器使用。
在嵌入式系统中,如工业控制设备、车载导航系统和智能家电,该芯片也被广泛采用。
由于其低功耗和高可靠性,H5TC4G43AFR也适用于网络设备、服务器内存扩展模块以及高端物联网设备。
H5TC4G63AFR-PBA、H5TC4G63AFAR