容量：2Gb（256MB）
　　组织结构：x8
　　电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：高达200MHz
　　数据速率：400Mbps（双倍数据速率）
　　CAS延迟：5.5
　　数据预取：2n预取
　　封装工艺：无铅、符合RoHS标准

H5TC2G83FFR-G7C作为一款高性能低功耗的DRAM芯片，具备多项技术优势。首先，其采用了移动DDR（mDDR）技术，使得在保持较高数据传输速率的同时，显著降低了功耗，这对于依赖电池供电的移动设备至关重要。
　　其次，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不频繁访问内存的情况下维持数据的完整性，从而进一步延长设备的电池寿命。此外，H5TC2G83FFR-G7C支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，能够在不同环境温度下自动调整刷新周期，提高数据的稳定性和可靠性。
　　该芯片的封装采用了小型化的54-ball FBGA封装，适合高密度PCB布局，节省空间的同时提高了系统的整体设计灵活性。此外，H5TC2G83FFR-G7C的双倍数据速率（DDR）架构使其能够在每个时钟周期传输两次数据（上升沿和下降沿），从而实现更高的带宽利用率。
　　为了确保数据的完整性和稳定性，该芯片还具备自动预充电、突发模式等功能，允许用户根据具体应用需求进行配置。此外，H5TC2G83FFR-G7C的时序参数可以通过模式寄存器进行编程，为不同的系统设计提供更高的兼容性和灵活性。

H5TC2G83FFR-G7C广泛应用于对内存性能和功耗有较高要求的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、穿戴设备、数码相机和便携式游戏机等。此外，它也适用于嵌入式系统、工业控制设备、车载信息系统以及需要低功耗、高性能内存的物联网（IoT）设备。在需要多任务处理能力的场景中，例如高清视频播放、图形处理、实时数据计算等，该芯片能够提供稳定且高效的数据存储与访问能力。

H5PS1G83EFR-S6C, H5PS5162GFR-S6C, H5PS5162GFR-S8C