H5TC2G83EFR-H9A 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储解决方案的一部分。这款芯片被设计用于满足高性能计算、图形处理以及需要大量数据吞吐的应用场景。H5TC2G83EFR-H9A具有较高的存储密度和快速的数据访问速度,是现代计算机系统、显卡和游戏主机中不可或缺的组成部分。该芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有良好的散热性能和电气特性。
容量:2Gb
组织结构:x8/x16
电压:1.8V
频率:166MHz
数据速率:333Mbps
封装类型:FBGA
引脚数:54
工作温度范围:0°C至85°C
H5TC2G83EFR-H9A 的核心特性之一是其高数据传输速率,支持高达333Mbps的数据速率,使得它非常适合用于需要快速数据处理的应用场景。该芯片支持x8和x16两种数据宽度模式,提供了灵活的接口配置选项,适应不同的系统设计需求。
此外,H5TC2G83EFR-H9A采用了低电压设计(1.8V),有效降低了功耗和热量产生,从而提高了能效并延长了设备的使用寿命。其FBGA封装技术不仅有助于提高封装密度,还改善了信号完整性和电磁干扰(EMI)性能。
H5TC2G83EFR-H9A广泛应用于高性能计算系统、图形加速卡、游戏主机、网络设备以及嵌入式系统中。在图形处理领域,该芯片能够为GPU提供快速的显存支持,提升图像渲染速度和质量。在计算密集型应用中,如服务器和工作站,H5TC2G83EFR-H9A能够提供必要的内存带宽,确保系统的高效运行。
H5TC2G83EMR-PBA, H5TC2G83EMR-H9A