H5TC2G83CFR-H9R 时间：2025/9/2 6:43:14 阅读：7

H5TC2G83CFR-H9R 是现代半导体（Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要高速数据存储和处理的电子设备中。这款DRAM芯片采用现代先进的制造工艺，具有高性能、低功耗和高可靠性的特点，适用于多种电子系统。H5TC2G83CFR-H9R 的封装形式为FBGA（细间距球栅阵列封装），使其在高密度PCB布局中表现优异。

参数

类型：DRAM
　　容量：256MB（2Gbit）
　　数据宽度：8位（x8）
　　工作频率：166MHz（CL=5.4）
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据传输速率：166MHz
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：5.5mm x 4.5mm

特性

H5TC2G83CFR-H9R 是一款专为低功耗和高性能应用设计的DRAM芯片，适用于嵌入式系统、便携式设备和工业控制系统。该芯片采用异步操作模式，允许其在没有时钟同步的情况下高效运行，降低了系统复杂性。此外，其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其适用于多种电源管理系统，并提高了设计灵活性。
　　该DRAM芯片具有良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定运行，适用于严苛的工业环境。H5TC2G83CFR-H9R 采用FBGA封装技术，减小了芯片体积，提高了布线效率，并降低了信号干扰。其64ms的刷新周期确保了数据的长期稳定性，同时降低了功耗，延长了电池寿命。
　　此外，H5TC2G83CFR-H9R 具有较高的数据传输速率，可满足需要快速访问数据的系统需求。其x8数据宽度设计适用于对存储带宽要求适中的应用，如微控制器系统、小型数据缓存和图形处理模块。