H5TC2G63FFR 时间：2025/12/28 17:11:49 阅读：12

H5TC2G63FFR是一种由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器产品系列，广泛应用于需要快速数据存取的电子设备中。H5TC2G63FFR的容量为256MB，采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，适用于消费类电子产品、工业控制系统、网络设备以及嵌入式系统等应用场景。

参数

容量：256MB
　　类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　数据速率：166MHz
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　组织结构：x16位宽
　　刷新周期：64ms

特性

H5TC2G63FFR是一款高性能的DRAM芯片，具有低功耗设计，适合电池供电设备使用。其高速数据存取能力使其在需要快速响应的应用中表现出色。此外，该芯片具有宽温度范围的工作能力，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。FBGA封装提供了良好的散热性能和较小的体积，适合紧凑型设备的设计。H5TC2G63FFR还支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在断电情况下也能保持一定时间。
　　H5TC2G63FFR采用了先进的CMOS工艺制造，具备较高的集成度和可靠性。其166MHz的数据速率能够满足大多数中高端嵌入式系统和网络设备的需求。芯片内部集成了地址和数据缓冲器，以减少外部控制器的负担，并优化了存储器访问效率。同时，该芯片支持多种工作模式，包括突发模式、页模式等，用户可以根据具体应用需求选择最合适的操作方式。
　　在电源管理方面，H5TC2G63FFR支持低功耗待机模式和深度掉电模式，有助于延长设备的续航时间。其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其能够适应不同的电源供应环境，提高了设计的灵活性。此外，该芯片的引脚排列设计也便于PCB布局和信号完整性优化，降低了设计复杂度并提升了系统稳定性。