时间：2025/5/28 17:10:14
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UT3N06L-AE3-R 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的增强型功率晶体管，采用常关型设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高效率的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他功率电子应用。其封装形式为紧凑型表面贴装器件，便于在高密度电路板上使用。
这款 GaN 晶体管与传统硅基 MOSFET 相比，在高频和高效能应用场景中表现出显著的优势。
型号：UT3N06L-AE3-R
类型：增强型 GaN 功率晶体管
最大漏源电压(Vds)：650V
最大漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：16mΩ
栅极阈值电压(Vth)：1.5V~3.5V
工作温度范围：-40℃~+125℃
封装形式：TO-LEADLESS
UT3N06L-AE3-R 具有以下关键特性：
1. 高效性：由于 GaN 材料的独特性能，该晶体管能够以更低的开关损耗实现更高的转换效率。
2. 快速开关能力：具备纳秒级的开关速度，可有效降低电磁干扰并减少死区时间。
3. 小型化设计：采用无引脚封装技术，适合紧凑型 PCB 设计需求。
4. 热性能优异：较低的 RDS(on) 可减少运行过程中的热量累积，提升系统可靠性。
5. 安全保护机制：内置过温保护和短路保护功能，增强了系统的稳定性。
UT3N06L-AE3-R 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和适配器。
2. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的车载充电器。
3. 太阳能逆变器和其他绿色能源设备。
4. 数据中心服务器供电单元。
5. 工业电机驱动和高频 DC-DC 转换器。
6. 快速充电器和无线充电解决方案。
UT3N06L-E3-R, EPC2016C
