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H5TC2G63DFR-PBA 发布时间 时间:2025/9/2 4:18:21 查看 阅读:7

H5TC2G63DFR-PBA 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,适用于需要高速数据存取的电子设备。H5TC2G63DFR-PBA的设计使其成为许多嵌入式系统、工业控制设备以及消费类电子产品中常用的存储器解决方案。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装:FBGA
  接口:并行
  电压:1.8V至3.3V可变
  频率:高达166MHz
  数据宽度:16位
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5TC2G63DFR-PBA 是一款高性能的DRAM芯片,具有较高的存储密度和快速的数据访问速度。其16位数据宽度设计使其能够满足对数据吞吐量要求较高的应用场景。此外,该芯片支持多种电源电压,使其能够适应不同系统的设计需求。H5TC2G63DFR-PBA 的工作温度范围较宽,适合在工业级环境中运行,确保了在各种环境条件下都能稳定工作。
  该芯片还具备低功耗特性,适用于对能耗敏感的应用场景,如便携式设备和嵌入式系统。FBGA封装不仅减小了芯片的体积,还提高了散热性能,增强了系统的可靠性。此外,H5TC2G63DFR-PBA 的并行接口设计允许其与多种主控芯片兼容,提高了其在多种电子设备中的适用性。

应用

H5TC2G63DFR-PBA 主要应用于需要中等容量高速存储的设备,如网络设备、工业控制系统、医疗仪器、通信模块以及消费类电子产品。它常被用作处理器的外部存储器,以提升系统的运行效率。此外,该芯片也广泛应用于需要实时数据处理和存储的场合,例如视频采集与处理设备、智能卡读写器以及自动控制装置。

替代型号

H5TC2G63DFR-PBA的替代型号包括H5PS1G63DFR-PBA和H5DU5162ETFR-S25C。这些型号在容量、封装和性能方面相似,可以作为替代方案使用。

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