型号：AL02BT8N2
　　制造商：Littelfuse
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：2.8V
　　击穿电压（VBR）：3.5V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：2A
　　钳位电压（VC）：9.5V @ 2A
　　电容典型值（C）：0.4pF @ 3.3V, 1MHz
　　ESD 耐受能力：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电）
　　浪涌耐受能力：IEC 61000-4-5 Level 4
　　反向漏电流（IR）：<1μA @ VRWM
　　封装形式：MicroSiMD (SOD-123F)
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

AL02BT8N2 的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为 0.4pF，在高频信号传输中几乎不会引入信号失真或衰减，因此特别适合用于 USB 2.0、HDMI 和其他高达数百 Mbps 的高速数据接口。这种低电容特性得益于优化的 PN 结结构与先进钝化工艺，确保在不牺牲保护性能的前提下实现最佳信号完整性。
　　该器件具备出色的 ESD 防护能力，符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准，能够承受 ±15kV 的空气放电和 ±8kV 的接触放电，远高于一般消费类电子产品所需的防护等级。这意味着即使在恶劣的使用环境或频繁插拔操作下，AL02BT8N2 也能稳定保护连接器和主控芯片不受静电损伤。
　　AL02BT8N2 还具有极快的响应时间，通常小于 1ns，可在瞬态电压出现的瞬间迅速导通并将能量泄放到地，防止电压升高到足以损坏后级 IC 的水平。同时，其低钳位电压（9.5V @ 2A）意味着在发生大电流瞬变时仍能维持相对较低的输出电压，进一步提升了系统的可靠性。
　　该 TVS 阵列采用双通道设计，每个通道独立工作，支持双向保护，适用于单端或差分信号线。其 MicroSiMD 封装尺寸极小（约 1.0mm × 0.6mm × 0.5mm），非常适合高密度 PCB 布局，有助于缩小整体产品体积，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式终端。
　　此外，AL02BT8N2 在长期稳定性、热循环耐久性和湿度敏感度方面均通过严格测试，符合 RoHS 和无卤素要求，适合自动化 SMT 生产流程，并能在 -55°C 至 +125°C 的宽温范围内可靠运行，适应多种工业与消费应用场景。

AL02BT8N2 主要应用于需要高水平静电放电保护的高速数据通信接口。常见应用包括智能手机和平板电脑中的 USB Type-A 或 Type-C 接口数据线保护，防止用户插拔过程中产生的静电对主控芯片造成损害。它也广泛用于笔记本电脑、显示器和电视上的 HDMI、DisplayPort 等视频信号端口，确保在复杂电磁环境下信号传输的稳定性与设备安全性。
　　在工业通信领域，该器件可用于保护 RS-485、CAN 总线或其他长距离传输线路，抵御雷击感应或电源耦合引起的浪涌脉冲。由于其符合 IEC 61000-4-5 Level 4 浪涌标准，能够在严苛工业环境中提供可靠的过压防护。
　　此外，AL02BT8N2 还适用于便携式医疗设备、智能家居控制面板、POS 终端、无线耳机充电盒等带有外露连接器的产品，这些设备常常暴露在人体直接接触的环境中，极易受到 ESD 冲击，因此需要高效且不影响信号质量的保护方案。其小型化封装和高性能特性使其成为现代电子产品中不可或缺的保护元件。