H5TC1G83TFR-G7A 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动式低功耗DRAM(LPDRAM)类别。该芯片的容量为128MB,组织结构为1M x 8,采用BGA(球栅阵列封装)封装形式,适用于便携式电子设备、嵌入式系统以及需要低功耗内存解决方案的应用。该芯片在设计上优化了功耗,以适应电池供电设备的需求。
容量:128MB
组织结构:1M x 8
电压:1.7V - 3.3V
封装类型:BGA
封装尺寸:54-ball FBGA
数据速率:166MHz
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H5TC1G83TFR-G7A 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,专为移动和嵌入式应用设计。其主要特性之一是低电压操作,能够在1.7V至3.3V之间运行,从而显著降低功耗,延长设备的电池寿命。此外,该芯片采用54-ball FBGA封装,具有较小的封装尺寸,适用于空间受限的便携式设备设计。
该芯片的数据传输速率可达166MHz,提供较快的读写速度,满足对性能有一定要求的嵌入式系统和手持设备的需求。同时,H5TC1G83TFR-G7A 支持自动刷新和自刷新模式,进一步优化了功耗管理,使其在不同使用场景下都能保持稳定的性能表现。
由于其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),该芯片适用于各种严苛环境下的应用,包括工业控制、车载系统和户外电子设备。此外,H5TC1G83TFR-G7A 符合RoHS标准,支持环保设计,符合现代电子产品对可持续性和环境友好材料的要求。
H5TC1G83TFR-G7A 主要应用于需要低功耗、小尺寸DRAM解决方案的设备,如智能手机、平板电脑、穿戴式设备、便携式游戏机等。此外,该芯片也广泛用于嵌入式系统,如工业控制面板、医疗设备、车载导航系统和智能家电等。由于其较低的功耗和较高的稳定性,该芯片也适合用于需要长时间运行且对电源管理要求较高的物联网(IoT)设备。
H5TC1G83BFR-G7C, H5PS1G83EFR-S6C, H5PS1G83EFR-S8C