CJD02N65 时间：2025/8/17 2:55:39 阅读：6

CJD02N65 是一款由CJ（长电科技）生产的N沟道功率MOSFET，适用于各种中高功率电子设备中的开关和放大应用。该器件采用高压工艺制造，具备良好的导通特性和快速开关性能，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动、LED照明等应用领域。CJD02N65采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热管理和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：2A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CJD02N65具备多项优良特性，适合于多种功率应用。其最大漏源电压为650V，能够适应高压电路设计需求，适用于AC-DC电源、开关电源（SMPS）以及LED驱动等高电压场合。
　　器件的连续漏极电流为2A，在常温下即可实现较高的电流承载能力，满足中等功率应用的电流需求。栅源电压允许达到±20V，提供更高的栅极驱动灵活性，便于在不同控制电路中使用。
　　该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）最大为2.5Ω，在Vgs=10V时具有较低的导通损耗，有助于提高整体系统效率。同时，其功率耗散能力为50W，结合TO-252封装的散热设计，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　此外，CJD02N65的工作温度范围宽达-55℃至+150℃，适用于工业级和部分汽车电子应用环境。TO-252封装结构紧凑，便于PCB布局和自动化生产，同时具备良好的热稳定性和机械强度。

应用

CJD02N65广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高压和中等电流能力的场合。例如，它适用于AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、LED照明驱动电源以及工业自动化设备中的功率开关单元。
　　由于其高压特性和较好的导通性能，CJD02N65在反激式和正激式电源拓扑结构中表现出色，是设计高效率、高可靠电源模块的理想选择之一。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制、智能电表的电源管理模块以及家用电器中的电机驱动电路。