H5TC1G63EFR是一种动态随机存取存储器(DRAM)芯片,由SK Hynix公司生产。该芯片属于SDRAM类别,广泛用于需要高速数据存储和访问的电子设备中,如计算机主板、嵌入式系统、网络设备和工业控制设备等。H5TC1G63EFR具有1Gbit的存储容量,并采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,以确保高密度和高性能的存储解决方案。
容量:1Gbit
组织结构:128M x 8
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:54-ball FBGA
数据访问速度:5.4ns(最大)
刷新周期:64ms
访问模式:异步模式
H5TC1G63EFR DRAM芯片具备多个显著的性能特性。首先,其1Gbit的存储容量可以满足中高端嵌入式系统和网络设备的存储需求。该芯片采用异步访问模式,能够适应多种应用场合,而不需要严格的时钟同步。此外,54-ball FBGA封装形式不仅减小了PCB板的占用空间,还提高了封装密度和电气性能。
H5TC1G63EFR的工作电压范围为2.3V至3.6V,这种宽电压设计使其能够在不同的电源环境下稳定工作,适用于多种应用场景。该芯片支持64ms的自动刷新周期,确保了数据的可靠存储,同时减少了外部控制器的刷新负担。
此外,H5TC1G63EFR的访问时间为5.4ns,具有较快的数据读取速度,适用于需要快速响应的应用场景。该芯片还支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,有助于在电池供电设备中延长续航时间。这些特性共同使得H5TC1G63EFR成为一种可靠且高效的存储解决方案,适用于多种工业和消费类电子产品。
H5TC1G63EFR主要应用于需要大容量存储和快速数据访问的设备。常见的应用场景包括嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、视频监控设备以及消费类电子产品如智能电视和游戏机等。由于其异步模式和宽电压设计,该芯片特别适用于没有精确时钟控制的系统,以及需要适应多种电源环境的设备。此外,其低功耗模式也使其成为便携式设备和电池供电系统的理想选择。
H5TC1G63AMR、H5TC1G63EMR、IS42S16400J-6T、CY7C1019DV33