H5TC1G63EFR 时间：2025/9/1 19:28:06 阅读：16

H5TC1G63EFR是一种动态随机存取存储器（DRAM）芯片，由SK Hynix公司生产。该芯片属于SDRAM类别，广泛用于需要高速数据存储和访问的电子设备中，如计算机主板、嵌入式系统、网络设备和工业控制设备等。H5TC1G63EFR具有1Gbit的存储容量，并采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，以确保高密度和高性能的存储解决方案。

参数

容量：1Gbit
　　组织结构：128M x 8
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：54-ball FBGA
　　数据访问速度：5.4ns（最大）
　　刷新周期：64ms
　　访问模式：异步模式

特性

H5TC1G63EFR DRAM芯片具备多个显著的性能特性。首先，其1Gbit的存储容量可以满足中高端嵌入式系统和网络设备的存储需求。该芯片采用异步访问模式，能够适应多种应用场合，而不需要严格的时钟同步。此外，54-ball FBGA封装形式不仅减小了PCB板的占用空间，还提高了封装密度和电气性能。
　　 H5TC1G63EFR的工作电压范围为2.3V至3.6V，这种宽电压设计使其能够在不同的电源环境下稳定工作，适用于多种应用场景。该芯片支持64ms的自动刷新周期，确保了数据的可靠存储，同时减少了外部控制器的刷新负担。
　　此外，H5TC1G63EFR的访问时间为5.4ns，具有较快的数据读取速度，适用于需要快速响应的应用场景。该芯片还支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，有助于在电池供电设备中延长续航时间。这些特性共同使得H5TC1G63EFR成为一种可靠且高效的存储解决方案，适用于多种工业和消费类电子产品。

应用

H5TC1G63EFR主要应用于需要大容量存储和快速数据访问的设备。常见的应用场景包括嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、视频监控设备以及消费类电子产品如智能电视和游戏机等。由于其异步模式和宽电压设计，该芯片特别适用于没有精确时钟控制的系统，以及需要适应多种电源环境的设备。此外，其低功耗模式也使其成为便携式设备和电池供电系统的理想选择。