时间：2025/7/12 18:27:30
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BUK452-100B 是一款 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)，适用于高频开关和高效率电源转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，适合于工业、汽车及消费类电子设备中的多种应用场景。
BUK452-100B 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具有较大的散热面积，便于在高温环境下稳定运行。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9.7A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：19nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间：12ns，上升时间：10ns；关断传播时间：19ns，下降时间：14ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
BUK452-100B 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用，例如开关电源、DC-DC 转换器等。
3. 较高的雪崩击穿能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 封装形式为 TO-263，提供良好的散热性能。
5. 广泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境条件下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于通过认证。
BUK452-100B 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的控制元件。
3. 逆变器和 UPS 系统的关键组件。
4. 汽车电子系统，如电动助力转向、制动系统等。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各种需要高效能功率开关的应用场景。
BUK452-100E, IRFZ44N, FDP5500
