存储容量：256Mbit
　　组织方式：x16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：FBGA
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　最大工作频率：110MHz
　　最大功耗：120mA（典型值）
　　待机电流：10mA（典型值）
　　数据保持电压：2.0V

H5RS5223DFR-N2C SRAM芯片具备多项优异特性，适用于多种高性能应用场合。首先，该芯片支持异步操作，这意味着它可以在没有时钟信号的情况下进行读写操作，适用于各种灵活的系统架构。其55ns的访问时间确保了快速的数据响应，适合需要高吞吐量的系统设计。
　　芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够兼容多种电源管理方案，并具备良好的电压适应性。在低电压模式下（最低至2.0V），该芯片仍能保持数据的完整性，这使得它在电池供电设备中表现尤为出色。
　　此外，H5RS5223DFR-N2C具备低功耗特性，在待机模式下的电流消耗仅为10mA，有助于延长设备的续航时间。其最大工作电流为120mA，符合现代电子设备对节能的需求。
　　采用FBGA 54引脚封装，该芯片的封装尺寸较小，有助于节省PCB空间，适合高密度布局。同时，其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，确保在极端温度条件下依然能够稳定运行。
　　该SRAM芯片还具备高可靠性，内部结构优化以减少功耗和提高数据稳定性，适用于长期运行的嵌入式系统和工业控制设备。

H5RS5223DFR-N2C SRAM芯片因其高速访问、低功耗和宽电压工作范围，被广泛应用于多个领域。例如，在网络设备中，它可以作为缓存存储器，用于临时存储数据包以提高处理速度。在工业控制系统中，该芯片可用于存储实时数据和程序代码，确保系统的稳定性和响应能力。
　　该芯片也适用于通信模块，如无线基站、路由器和交换机，用于快速数据交换和处理。在嵌入式系统中，例如智能仪表、工业自动化设备和医疗仪器，H5RS5223DFR-N2C可作为主存储器或辅助存储器，提供高效的数据存储与读取能力。
　　此外，由于其低电压数据保持特性，该芯片也可用于电池供电设备，如便携式测试仪器、数据采集器和智能卡读写器，以延长设备的使用时间。

H5RS5223AFR-N2C，H5RS5223AFR-N2C1，H5RS5223CFR-N2C