您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H5PS5182KFR

H5PS5182KFR 发布时间 时间:2025/9/1 16:03:56 查看 阅读:6

H5PS5182KFR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高带宽内存(HBM, High Bandwidth Memory)芯片,专为高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)和先进AI加速器设计。这款内存芯片采用堆叠式封装技术,提供极高的数据传输速率和紧凑的物理尺寸,适用于需要极致带宽的应用场景。

参数

制造商:SK Hynix
  产品类型:高带宽内存(HBM)
  型号:H5PS5182KFR
  容量:2GB
  内存类型:DRAM
  接口类型:HBM
  数据速率:1.8 Gbps
  电压:1.3V
  封装类型:FCBGA
  引脚数:1024
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  尺寸:具体尺寸根据封装形式而定

特性

H5PS5182KFR 具有多个显著的技术特性,使其在高性能计算和图形处理领域具有独特优势。
  首先,该芯片采用高带宽内存(HBM)技术,通过3D堆叠结构将多个DRAM芯片垂直堆叠在一个封装中,极大地提升了内存带宽。这种结构不仅减少了芯片面积,还降低了功耗,适合高密度集成应用。
  其次,H5PS5182KFR 支持高达1.8 Gbps的数据传输速率,确保了在需要大量数据吞吐的应用中具备出色的性能表现。这种高速特性使其非常适合用于AI推理、深度学习训练、GPU渲染等计算密集型任务。
  此外,该芯片采用了先进的硅通孔(TSV, Through Silicon Via)技术,实现了芯片间的高速互连,进一步提升了数据传输效率并降低了延迟。这种技术也使得内存模块的物理尺寸更加紧凑,适合在空间受限的设计中使用。
  在电源管理方面,H5PS5182KFR 工作电压为1.3V,具有较低的功耗和良好的能效比。它能够在-40°C至+85°C的工作温度范围内稳定运行,适应工业级和高性能计算环境的需求。
  最后,该芯片采用1024引脚的FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array)封装形式,确保了良好的电气性能和散热能力,适合长期高负载运行。

应用

H5PS5182KFR 主要应用于需要高带宽、低延迟和紧凑设计的高端计算平台。典型应用包括:
  1. **图形处理单元(GPU)**:作为显存(VRAM)用于高性能图形渲染和游戏显卡,提升GPU在复杂图形计算中的性能表现。
  2. **人工智能(AI)与深度学习加速器**:在AI训练和推理系统中,用于支持大规模并行计算和高速数据处理,提高模型训练速度和推理效率。
  3. **高性能计算(HPC)系统**:在科学计算、仿真和大数据处理等领域,作为高速缓存或主存使用,满足对数据吞吐量的极高要求。
  4. **网络与数据中心设备**:用于高速缓存和数据交换,提升网络设备的数据处理能力,满足现代数据中心对带宽和延迟的严苛要求。
  5. **嵌入式视觉与自动驾驶系统**:在需要实时图像处理和复杂计算的自动驾驶系统中,为图像识别和数据处理提供强大支持。

替代型号

H5PS5162KFR, H5PS5122KFR

H5PS5182KFR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

H5PS5182KFR产品