H5PS5162FFRS6C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列。该型号主要应用于需要高带宽和低功耗特性的移动设备和嵌入式系统,如智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等。该DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具备高集成度和出色的电气性能。
容量:2Gb
组织结构:x16
电压:1.1V(VDD)/ 1.8V(VDDQ)
频率:最高支持1600MHz
数据速率:3200Mbps
工作温度:-40°C至85°C
封装类型:FBGA
引脚数:134
尺寸:8mm x 12mm
H5PS5162FFRS6C 是一款专为低功耗应用设计的LPDDR4 SDRAM芯片,具备出色的性能与能效比。其最大数据速率达到3200Mbps,能够满足高带宽需求的应用场景,如高清视频处理、大型游戏和多任务处理等。该芯片采用双电压供电设计(1.1V用于核心供电,1.8V用于I/O供电),有效降低功耗,延长设备电池寿命。
此外,H5PS5162FFRS6C 支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式(Deep Power-Down Mode)和自刷新模式(Self-Refresh Mode),在系统待机或低负载状态下显著减少能耗。其支持的温度范围为-40°C至85°C,适应性强,适用于各种复杂环境下的电子设备。
该芯片还具备高可靠性和稳定性,采用先进的制造工艺和封装技术,确保在高频率运行下的数据完整性。同时,它兼容JEDEC标准,便于集成到不同厂商的系统平台中,提高了设计的灵活性和兼容性。
H5PS5162FFRS6C 主要用于对性能和功耗有较高要求的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式媒体播放器。由于其高带宽和低功耗特性,该芯片也适用于嵌入式计算平台、工业控制设备和车载电子系统。例如,在智能手机中,该DRAM可为多任务处理、高清图形渲染和AI计算提供高效内存支持;在工业应用中,其宽温特性和高稳定性使其能够在严苛环境下稳定运行。
H5PS5162FFR S6C的替代型号包括H5PS5161FFRS6C、H5PS5162GFR S6C以及美光(Micron)和三星(Samsung)的相应LPDDR4 SDRAM产品,如MT53B256M16A256A和K4FAB1646C