时间：2025/6/14 16:35:11
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CGA3E2C0G2A3R3C080AD 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，能够显著提高系统效率并降低能耗。
这款功率 MOSFET 属于 N 沾极类型，其封装形式和电气特性使其非常适合高电流密度和高频应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，从而提升整体效率。
2. 快速开关特性，支持高频工作，适用于高频率开关电源设计。
3. 高电流承载能力，可满足大功率应用场景的需求。
4. 优秀的热稳定性，在极端温度条件下依然保持可靠性能。
5. 内置静电保护功能，增强了器件在实际使用中的抗干扰能力。
6. 小型化封装，便于集成到紧凑型电路板中。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车和混合动力汽车中的功率管理模块
6. 工业自动化设备中的负载切换
CGA3E2C0G2A3R3C090AD
CGA3E2C0G2A3R3C100AD
IRFZ44N
FDP5500
STP55NF06L
