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IRL8113SPBF 发布时间 时间:2025/7/1 23:18:11 查看 阅读:5

IRL8113SPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 没道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性。其封装形式为 SO-8 封装,适用于各种高效率、高频开关应用。这种 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景。
  IRL8113SPBF 的设计旨在提供卓越的性能和可靠性,同时保持较低的功耗,使其成为众多功率电子系统中的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关时间:典型开通时间 19ns,典型关断时间 16ns
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRL8113SPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 10V 栅极驱动下仅为 3.5mΩ,从而减少了传导损耗并提高了整体效率。
  2. 快速开关速度,具有较小的栅极电荷和低输入电容,有助于减少开关损耗。
  3. 高电流处理能力,可承受高达 42A 的连续漏极电流,适合大功率应用。
  4. 宽温度范围支持,能够在 -55°C 至 +175°C 的结温范围内稳定运行,适应恶劣的工作环境。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 紧凑的 SO-8 封装形式,便于集成到各种电路板设计中。

应用

IRL8113SPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制和保护。
  3. 各类负载开关和保护电路,如 USB-PD 控制器或汽车电子系统中的负载管理。
  4. 小型电机驱动器,例如风扇、泵和其他低功率电机控制。
  5. 可再生能源设备中的功率转换模块,如太阳能逆变器和储能系统。
  6. 工业自动化和通信设备中的高效功率切换解决方案。

替代型号

IRL8112PBF, IRL8114PBF

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IRL8113SPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C105A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2840pF @ 15V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL8113SPBF