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H5PS5162FFR-E3 发布时间 时间:2025/9/2 2:57:41 查看 阅读:5

H5PS5162FFR-E3是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高性能GDDR5 SDRAM(图形双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片。该芯片专为高性能图形处理和计算应用设计,广泛应用于高端显卡、游戏主机、工作站和需要大量图形处理能力的嵌入式系统中。其主要特点包括高速数据传输率、低延迟、高带宽和较低的功耗,适用于需要高性能显存解决方案的场景。

参数

类型:GDDR5 SDRAM
  容量:2 Gb(256 MB)
  数据宽度:16位
  时钟频率:5 Gbps(Gigabits per second)
  电压:1.5V(标准)
  封装类型:170-FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行接口
  延迟:CL(CAS Latency)通常为8-10-12等
  封装尺寸:约8mm x 13mm
  数据传输速率:10 Gbps(双倍数据速率,DDR)

特性

H5PS5162FFR-E3具有多项显著的技术特性,使其在高性能图形处理中表现出色。首先,该芯片采用了GDDR5技术,相比传统的GDDR3和GDDR4,其数据传输速率大幅提升,最高可达5 Gbps,提供高达10 Gbps的有效速率(DDR模式),从而显著提高了显存带宽。这对于处理复杂的3D图形、高分辨率视频和高性能计算任务至关重要。
  其次,该芯片采用了16位的数据总线宽度,虽然比32位或64位的显存略窄,但结合高时钟频率,仍然能够提供出色的带宽性能,适合用于多颗并行使用以构建更大位宽的显存系统。例如,四颗H5PS5162FFR-E3芯片可以组合成64位总线,从而实现更高的带宽利用率。
  此外,H5PS5162FFR-E3的工作电压为1.5V,相比早期的GDDR3和GDDR4显存,功耗和发热都有所降低,有助于提高系统的稳定性和能效。其FBGA封装方式也确保了良好的电气性能和散热能力,适用于高密度PCB布局和高性能显卡设计。
  该芯片的封装尺寸为8mm x 13mm,采用170个球栅引脚(FBGA),提供了良好的电气连接和机械稳定性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在各种工业级环境下稳定运行,适合嵌入式系统、高端游戏主机和数据中心应用。
  最后,H5PS5162FFR-E3支持多种高级功能,包括预取架构、差分时钟输入、ZQ校准、温度补偿自刷新(TCSR)和部分阵列自刷新(PASR),这些功能有助于优化性能、降低功耗并提高系统的可靠性。

应用

H5PS5162FFR-E3主要应用于需要高性能显存的设备,如高端独立显卡(GPU)、游戏主机(如PlayStation和Xbox)、高性能工作站、嵌入式视觉系统、AI加速卡以及高端网络设备。由于其高速度和低延迟特性,它非常适合用于处理复杂的图形渲染、实时视频处理、深度学习和大规模并行计算任务。此外,该芯片也常用于需要高带宽显存的FPGA和ASIC设计中。

替代型号

H5PS5162FFR-E3的替代型号包括H5PS5162GFR-E3、H5PS5162HFR-E3、H5PS5162FFR等,具体选择需根据设计需求和封装规格进行匹配。

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